CJ3401 — купить, цена, наличие
| Наименование: | CJ3401 |
| Производитель: | Plingsemic |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007916 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Сдвоенный P-канальный MOSFET, напряжение 12 В, ток 4.2 А, корпус SOT-23
Сдвоенный P-канальный полевой транзистор MOSFET CJ3401 производства компании Plingsemic предназначен для коммутации и управления электрическими цепями. Характеристики включают рабочее напряжение до 12 В и максимальный ток 4.2 А. Компонент выполнен в компактном корпусе SOT-23, что позволяет экономить пространство на печатной плате.
Отличительной особенностью данного транзистора является наличие двух идентичных каналов в одном корпусе, что упрощает схемы управления и снижает количество компонентов. Сдвоенные MOSFET чаще всего используются в приложениях, требующих синхронного управления двумя нагрузками, например, в драйверах светодиодов, источниках питания и схемах защиты от перегрузки. Выбор сдвоенного P-канального транзистора предпочтителен, когда требуется простое и эффективное решение для коммутации нагрузки с общим управлением.
| Характеристики не указаны. |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- JCS10N60FT-O-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 мОм при…
- JCS10N60FT-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 м…
- JCS10N60T-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 м…
- JCS10N65CT-O-C-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 м…
- JCS10N65FT-O-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 м…
- JCS10N65FT-R-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 мОм при…
- JCS10N65FT-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 м…
- L2N7002DW1T1G — Сдвоенный N-канальный MOSFET Leshan Radio, 20 В, сопротивление 7.5 Ом, корпус SC-88
- L2N7002DW1T1G-MS — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала…
- ME2N7002DW-VB — N-канальный MOSFET, напряжение 60 В, ток 0.3 А, сопротивление канала 2000 мОм при 4.5 В
- MMFTP3401 — P-канальный MOSFET Diotec MMFTP3401, -30 В, ток -4 А, корпус SOT-23
- NTBLS0D8N08XTXG — N-канальный силовой MOSFET серии NTBL, ток 457 А, мощность 325 Вт, корпус HPSOF-8, SMD