IRF540STRLPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRF540STRLPBF |
| Производитель: | Vishay |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 008634 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 77 мОм, корпус D2PAK-3
IRF540STRLPBF — мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET) с рабочим напряжением до 100 В и низким сопротивлением открытого канала всего 77 мОм. Корпус D2PAK-3 обеспечивает эффективное рассеивание тепла и подходит для монтажа на печатные платы с высокой плотностью компоновки.
При монтаже данного транзистора важно учитывать требования к пайке и охлаждению. D2PAK-3 имеет три вывода, что позволяет надёжно фиксировать компонент на плате. При пайке необходимо соблюдать температурные ограничения и избегать перегрева, чтобы сохранить целостность полупроводникового кристалла. Для эффективного отвода тепла рекомендуется использовать радиатор или систему охлаждения, учитывая тепловое сопротивление перехода кристалл-корпус.
| Корпус | D2PAK |
| Постоянный ток стока (ID) | 28 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Сопротивление сток-исток | 77 mΩ |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 20 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 4.83 mm |
| Входная ёмкость | 1.7 nF |
| Дата выпуска | 1993-09-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 10.67 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная рабочая температура | 175 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 150 W |
| Мин. напряжение пробоя | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 2 |
| Рассеиваемая мощность | 3.7 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 12 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Сопротивление | 77 mΩ |
| Время нарастания | 30 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 19 ns |
| Время задержки включения | 8.8 ns |
| Масса | 1.437803 g |
| Ширина | 9.65 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (5 стр.) |
Позиция есть у 22 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRF540S — N-канальный TrenchMOS-транзистор Vishay IRF540S, 100 В, ток 28 А, корпус D2PAK
- IRF540S-VB — N-канальный MOSFET (trench) IRF540S VBsemi, напряжение 100 В, ток 45 А, сопротивление кан…
- IRF540SPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 77 мОм, корпус D2PAK-3
- IRF540 — Транзистор MOSFET N-канальный IRF540, 100 В, ток 22 А, корпус TO-220
- IRF540A — N-канальный силовой MOSFET onsemi IRF540A, 100 В, ток 28 А, корпус TO-220AB
- IRF540APBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540A, JSMICRO, N-канал, корпус TO-220, RoHS
- IRF540APBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540A, JSMICRO, N-канал, RoHS
- IRF540APBF-VB — N-канальный MOSFET IRF540A VBsemi, напряжение 100 В, ток 55 А, сопротивление канала 36 мО…
- IRF540FI — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 0,5 Ом, ток 30 А, корпус TO-22…
- IRF540FI-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540FI, JSMICRO, N-канал
- IRF540FI-VB — N-канальный MOSFET IRF540FI VBsemi, напряжение 100 В, ток 50 А, сопротивление канала 40 м…
- IRF540N — Транзистор MOSFET N-канальный IRF540N, корпус TO-220AB