Силовой IGBT-модуль N-канальный, 1200 В, 25 А, управление 20 В, винтовое крепление, лента.
Infineon BSM15GD120DN2E3224BPSA1 — силовой модуль на основе биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для работы в цепях с высоким напряжением до 1200 В и током до 25 А. Использование модуля предполагает применение управляющего сигнала напряжением 20 В. Крепление винтами обеспечивает надёжное соединение с радиатором, а ленточная конструкция облегчает монтаж и улучшает теплоотвод.
Модуль данного типа используется в схемах управления мощными нагрузками, таких как инверторы, преобразователи частоты, источники питания и другие силовые устройства. Он позволяет эффективно коммутировать большие токи при высоком напряжении, обеспечивая высокую эффективность и надёжность работы системы. С точки зрения расчёта схемы, важно учитывать потери мощности на IGBT, тепловое сопротивление и условия охлаждения, чтобы обеспечить стабильную работу устройства в заданных режимах.
| Характеристики не указаны. |
| Документ | Скачать | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — БТИЗ
- BSM15GD120DN2E3224BDLA1 — IGBT-модуль Infineon, напряжение 1200 В
- BSM15GD120DN2E3224 — IGBT-модуль трёхфазный шестипак, 1200 В, 15 А, короткие выводы.
- BSM35GD120DN2E3224 — Силовой IGBT-модуль N-канальный, ток коллектора 50 А, напряжение 1200 В.
- BSM35GD120DN2E3224BPSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление
- CM1000DU-34NF — Сдвоенный силовой IGBT-модуль, 1700 В, 1000 А, серия NF.
- CM1000DUC-34SA — Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT, ток коллектора 1000 А, напряжение 17…
- FGH60N60SMD — IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 600 В, ток 60 А, корпус TO-247-3, вывод…
- IGW25T120FKSA1 — IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 1200 В, ток 50 А, мощность 190 Вт, корпус TO-247
- IKA10N65ET6-VB — IGBT-транзистор со встроенным диодом VBsemi, напряжение 600/650 В, ток 10 А, корпус TO-22…
- IKW40N120H3FKSA1 — IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 1200 В, ток 80 А, мощность 483 Вт, корп…
- IRG4PC50UDPBF — IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 600 В, ток 55 А, мощность 200 Вт, корпус TO-247AC
- STGW20NC60VD — Силовой IGBT-транзистор, напряжение 600 В, ток 60 А, мощность рассеивания 200 Вт, корпус…