IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 600 В, ток 55 А, мощность 200 Вт, корпус TO-247AC
Infineon IRG4PC50UDPBF — это N-канальный IGBT-транзистор в корпусе TO-247AC, предназначенный для работы с высокими напряжениями и токами. Характеристики компонента включают напряжение до 600 В, максимальный ток 55 А и мощность рассеяния до 200 Вт. Используется в устройствах, требующих эффективного управления большими нагрузками.
Данный транзистор применяется в инверторах, преобразователях частоты и других силовых электронных системах. Он позволяет управлять мощными электродвигателями, обеспечивая высокий КПД и минимизируя потери энергии. При расчёте схемы необходимо учитывать допустимые значения напряжения и тока, а также тепловое сопротивление корпуса для обеспечения эффективного охлаждения.
| Корпус | TO-247-3 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 600 V |
| Постоянный ток коллектора | 55 A |
| Номинальный ток | 55 A |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 110 ns |
| Высота | 24.99 mm |
| Входная ёмкость | 4 nF |
| Дата выпуска | 1997-04-17 |
| Без свинца | Содержит свинец, Без свинца |
| Длина | 15.87 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2020-06-30 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2020-12-31 |
| Макс. ток коллектора | 55 A |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 200 W |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Монтаж в отверстия (THT) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Количество в упаковке | 400 |
| Упаковка | Россыпь |
| Рассеиваемая мощность | 200 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| Время обратного восстановления | 50 ns |
| Время нарастания | 25 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Тип вывода | Монтаж в отверстия (THT) |
| Время задержки выключения | 140 ns |
| Время задержки включения | 46 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | 600 V |
| Масса | 38.000013 g |
| Ширина | 5.3086 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (3 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (2 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) |
Похожие товары — БТИЗ
- BSM15GD120DN2E3224 — IGBT-модуль трёхфазный шестипак, 1200 В, 15 А, короткие выводы.
- BSM15GD120DN2E3224BDLA1 — IGBT-модуль Infineon, напряжение 1200 В
- BSM15GD120DN2E3224BPSA1 — Силовой IGBT-модуль N-канальный, 1200 В, 25 А, управление 20 В, винтовое крепление, лента.
- BSM35GD120DN2E3224 — Силовой IGBT-модуль N-канальный, ток коллектора 50 А, напряжение 1200 В.
- BSM35GD120DN2E3224BPSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление
- CM1000DU-34NF — Сдвоенный силовой IGBT-модуль, 1700 В, 1000 А, серия NF.
- CM1000DUC-34SA — Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT, ток коллектора 1000 А, напряжение 17…
- FGH60N60SMD — IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 600 В, ток 60 А, корпус TO-247-3, вывод…
- IGW25T120FKSA1 — IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 1200 В, ток 50 А, мощность 190 Вт, корпус TO-247
- IKA10N65ET6-VB — IGBT-транзистор со встроенным диодом VBsemi, напряжение 600/650 В, ток 10 А, корпус TO-22…
- IKW40N120H3FKSA1 — IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 1200 В, ток 80 А, мощность 483 Вт, корп…
- STGW20NC60VD — Силовой IGBT-транзистор, напряжение 600 В, ток 60 А, мощность рассеивания 200 Вт, корпус…