IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 600 В, ток 60 А, корпус TO-247-3, выводной монтаж
FGH60N60SMD – транзистор IGBT с траншейным затвором типа Field Stop производства компании onsemi. Разрабатывался для работы в цепях с напряжением до 600 В и способен выдерживать ток до 60 А. Корпус TO-247-3 обеспечивает удобный выводной монтаж и хорошую теплоотдачу.
При проектировании печатной платы с использованием данного транзистора рекомендуется уделять особое внимание трассировке силовых линий. Широкие дорожки и минимальное количество переходов помогут снизить потери напряжения и уменьшить нагрев. Ключевой момент – обеспечить хороший тепловой контакт с радиатором, используя термопасту и надежные крепежные элементы.
| Корпус | TO-247-3 |
| China RoHS | Не соответствует |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.9 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 600 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток коллектора | 120 A |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 68 ns |
| Высота | 24.75 mm |
| Дата выпуска | 2010-05-24 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 15.6 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Макс. ток коллектора | 120 A |
| Максимальная температура перехода | 175 °C |
| Макс. рабочая температура | 175 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 600 W |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Монтаж в отверстия (THT) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Рассеиваемая мощность | 600 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| REACH SVHC | Нет |
| Время обратного восстановления | 39 ns |
| Время нарастания | 70 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 104 ns |
| Время задержки включения | 18 ns |
| Масса | 6.39 g |
| Ширина | 4.7 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (1 стр.) |
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.
Похожие товары — БТИЗ
- BSM15GD120DN2E3224 — IGBT-модуль трёхфазный шестипак, 1200 В, 15 А, короткие выводы.
- BSM15GD120DN2E3224BDLA1 — IGBT-модуль Infineon, напряжение 1200 В
- BSM15GD120DN2E3224BPSA1 — Силовой IGBT-модуль N-канальный, 1200 В, 25 А, управление 20 В, винтовое крепление, лента.
- BSM35GD120DN2E3224 — Силовой IGBT-модуль N-канальный, ток коллектора 50 А, напряжение 1200 В.
- BSM35GD120DN2E3224BPSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление
- CM1000DU-34NF — Сдвоенный силовой IGBT-модуль, 1700 В, 1000 А, серия NF.
- CM1000DUC-34SA — Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT, ток коллектора 1000 А, напряжение 17…
- IGW25T120FKSA1 — IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 1200 В, ток 50 А, мощность 190 Вт, корпус TO-247
- IKA10N65ET6-VB — IGBT-транзистор со встроенным диодом VBsemi, напряжение 600/650 В, ток 10 А, корпус TO-22…
- IKW40N120H3FKSA1 — IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 1200 В, ток 80 А, мощность 483 Вт, корп…
- IRG4PC50UDPBF — IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 600 В, ток 55 А, мощность 200 Вт, корпус TO-247AC
- STGW20NC60VD — Силовой IGBT-транзистор, напряжение 600 В, ток 60 А, мощность рассеивания 200 Вт, корпус…