Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT, ток коллектора 1000 А, напряжение 1700 В.
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) серии CM1000DUC-34SA производства компании Renesas предназначен для работы в цепях с высокими напряжениями и токами. Основные параметры включают максимально допустимый ток коллектора 1000 А и рабочее напряжение до 1700 В. Компонент обеспечивает надежное управление мощными нагрузками в условиях высоких напряжений и интенсивных токовых нагрузок.
При подборе аналога или замене данного устройства необходимо учитывать соответствие рабочего напряжения и тока коллектора требованиям схемы. Кроме того, важно убедиться в совместимости параметров управления затвором и теплового сопротивления выбранного компонента с характеристиками оригинальной схемы. Использование компонентов с отличающимися параметрами может привести к снижению эффективности работы устройства или его выходу из строя.
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.4 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 1.7 kV |
| Дата выпуска | 2012-12-17 |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. ток коллектора | 1 kA |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 10 kW |
| Число элементов | 1 |
| RoHS | Соответствует |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) |
Похожие товары — БТИЗ
- CM1000DU-34NF — Сдвоенный силовой IGBT-модуль, 1700 В, 1000 А, серия NF.
- BSM15GD120DN2E3224BPSA1 — Силовой IGBT-модуль N-канальный, 1200 В, 25 А, управление 20 В, винтовое крепление, лента.
- BSM35GD120DN2E3224 — Силовой IGBT-модуль N-канальный, ток коллектора 50 А, напряжение 1200 В.
- BSM35GD120DN2E3224BPSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление
- FGH60N60SMD — IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 600 В, ток 60 А, корпус TO-247-3, вывод…
- IGW25T120FKSA1 — IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 1200 В, ток 50 А, мощность 190 Вт, корпус TO-247
- IKA10N65ET6-VB — IGBT-транзистор со встроенным диодом VBsemi, напряжение 600/650 В, ток 10 А, корпус TO-22…
- IKW40N120H3FKSA1 — IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 1200 В, ток 80 А, мощность 483 Вт, корп…
- IRG4PC50UDPBF — IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 600 В, ток 55 А, мощность 200 Вт, корпус TO-247AC
- STGW20NC60VD — Силовой IGBT-транзистор, напряжение 600 В, ток 60 А, мощность рассеивания 200 Вт, корпус…
- STGWA25IH135DF2 — IGBT-транзистор STMicroelectronics STGWA25IH135, серия IH2, траншейный затвор, 1350 В, 25…