Силовой IGBT-модуль N-канальный, ток коллектора 50 А, напряжение 1200 В.
Infineon BSM35GD120DN2E3224 — силовой модуль на основе транзистора IGBT с каналом n-типа, предназначенный для работы в цепях с высокими напряжениями и токами. Номинальные характеристики модуля включают ток коллектора до 50 А и рабочее напряжение до 1200 В, что делает его подходящим для использования в мощных преобразовательных устройствах.
Конструкция модуля обеспечивает устойчивость к воздействию внешних факторов, таких как вибрация, повышенная влажность и экстремальные температуры. Благодаря продуманной компоновке и используемым материалам, модуль сохраняет работоспособность в широком диапазоне эксплуатационных условий, обеспечивая надёжность и долговечность в составе оборудования.
| Корпус | Module |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3.2 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 1.2 kV |
| Высота | 17 mm |
| Дата выпуска | 1996-01-01 |
| Длина | 107.5 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2023-10-15 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2024-04-15 |
| Макс. ток коллектора | 50 A |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 280 W |
| Мин. рабочая температура | -40 °C |
| Тип монтажа | С винтовым креплением |
| Число элементов | 6 |
| Число выводов | 17 |
| Рассеиваемая мощность | 280 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| RoHS | Соответствует |
| Ширина | 45 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (1 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — БТИЗ
- BSM35GD120DN2E3224BPSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление
- BSM15GD120DN2E3224 — IGBT-модуль трёхфазный шестипак, 1200 В, 15 А, короткие выводы.
- BSM15GD120DN2E3224BDLA1 — IGBT-модуль Infineon, напряжение 1200 В
- BSM15GD120DN2E3224BPSA1 — Силовой IGBT-модуль N-канальный, 1200 В, 25 А, управление 20 В, винтовое крепление, лента.
- CM1000DU-34NF — Сдвоенный силовой IGBT-модуль, 1700 В, 1000 А, серия NF.
- CM1000DUC-34SA — Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT, ток коллектора 1000 А, напряжение 17…
- FGH60N60SMD — IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 600 В, ток 60 А, корпус TO-247-3, вывод…
- IGW25T120FKSA1 — IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 1200 В, ток 50 А, мощность 190 Вт, корпус TO-247
- IKA10N65ET6-VB — IGBT-транзистор со встроенным диодом VBsemi, напряжение 600/650 В, ток 10 А, корпус TO-22…
- IKW40N120H3FKSA1 — IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 1200 В, ток 80 А, мощность 483 Вт, корп…
- IRG4PC50UDPBF — IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 600 В, ток 55 А, мощность 200 Вт, корпус TO-247AC
- STGW20NC60VD — Силовой IGBT-транзистор, напряжение 600 В, ток 60 А, мощность рассеивания 200 Вт, корпус…