IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление
Infineon BSM35GD120DN2E3224BPSA1 – это мощный БТИЗ-модуль с N-каналом, рассчитанный на работу с напряжением до 1200 В и током до 50 А. Он оснащён стандартным напряжением затвора 20 В и предназначен для использования с винтовым креплением, что обеспечивает надёжное механическое соединение и хороший теплоотвод.
При проектировании печатной платы под данный модуль рекомендуется уделить особое внимание трассировке силовых и сигнальных дорожек. Силовые линии должны быть максимально широкими и короткими, чтобы минимизировать потери напряжения и снизить уровень электромагнитных помех. Кроме того, следует избегать пересечения сигнальных и силовых дорожек, располагая их перпендикулярно друг другу, что поможет уменьшить взаимное влияние и повысить общую устойчивость схемы.
| Характеристики не указаны. |
| Документ | Скачать | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — БТИЗ
- BSM35GD120DN2E3224 — Силовой IGBT-модуль N-канальный, ток коллектора 50 А, напряжение 1200 В.
- BSM15GD120DN2E3224 — IGBT-модуль трёхфазный шестипак, 1200 В, 15 А, короткие выводы.
- BSM15GD120DN2E3224BDLA1 — IGBT-модуль Infineon, напряжение 1200 В
- BSM15GD120DN2E3224BPSA1 — Силовой IGBT-модуль N-канальный, 1200 В, 25 А, управление 20 В, винтовое крепление, лента.
- CM1000DU-34NF — Сдвоенный силовой IGBT-модуль, 1700 В, 1000 А, серия NF.
- CM1000DUC-34SA — Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT, ток коллектора 1000 А, напряжение 17…
- FGH60N60SMD — IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 600 В, ток 60 А, корпус TO-247-3, вывод…
- IGW25T120FKSA1 — IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 1200 В, ток 50 А, мощность 190 Вт, корпус TO-247
- IKA10N65ET6-VB — IGBT-транзистор со встроенным диодом VBsemi, напряжение 600/650 В, ток 10 А, корпус TO-22…
- IKW40N120H3FKSA1 — IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 1200 В, ток 80 А, мощность 483 Вт, корп…
- IRG4PC50UDPBF — IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 600 В, ток 55 А, мощность 200 Вт, корпус TO-247AC
- STGW20NC60VD — Силовой IGBT-транзистор, напряжение 600 В, ток 60 А, мощность рассеивания 200 Вт, корпус…