STGWA25IH135DF2 — купить, цена, наличие
| Наименование: | STGWA25IH135DF2 |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Категория: | БТИЗ |
| Артикул: | 008828 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGWA25IH135, серия IH2, траншейный затвор, 1350 В, 25 А, мягкое переключение
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) STMicroelectronics STGWA25IH135 относится к серии IH2 и обладает траншейной структурой затвора. Этот компонент предназначен для работы в цепях с высоким напряжением до 1350 В и способен выдерживать ток до 25 А. Характерной особенностью является режим мягкого переключения, обеспечивающий снижение потерь при коммутации и уменьшение электромагнитных помех.
Применение подобных транзисторов типично в схемах управления электроприводами, инверторах, источниках питания и других устройствах, требующих эффективного управления мощными нагрузками. С точки зрения расчёта схемы, важно учитывать напряжение и ток нагрузки, частоту переключений, а также тепловые характеристики транзистора для обеспечения эффективного теплоотвода и предотвращения перегрева.
| China RoHS | Соответствует |
| Дата выпуска | 2023-05-12 |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — БТИЗ
- STGW20NC60VD — Силовой IGBT-транзистор, напряжение 600 В, ток 60 А, мощность рассеивания 200 Вт, корпус…
- BSM15GD120DN2E3224BPSA1 — Силовой IGBT-модуль N-канальный, 1200 В, 25 А, управление 20 В, винтовое крепление, лента.
- BSM35GD120DN2E3224 — Силовой IGBT-модуль N-канальный, ток коллектора 50 А, напряжение 1200 В.
- BSM35GD120DN2E3224BPSA1 — IGBT-модуль Infineon, N-канал, 1200 В, 50 А, напряжение затвора 20 В, винтовое крепление
- CM1000DU-34NF — Сдвоенный силовой IGBT-модуль, 1700 В, 1000 А, серия NF.
- CM1000DUC-34SA — Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT, ток коллектора 1000 А, напряжение 17…
- FGH60N60SMD — IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 600 В, ток 60 А, корпус TO-247-3, вывод…
- IGW25T120FKSA1 — IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 1200 В, ток 50 А, мощность 190 Вт, корпус TO-247
- IKA10N65ET6-VB — IGBT-транзистор со встроенным диодом VBsemi, напряжение 600/650 В, ток 10 А, корпус TO-22…
- IKW40N120H3FKSA1 — IGBT-транзистор с траншейным затвором Field Stop, 1200 В, ток 80 А, мощность 483 Вт, корп…
- IRG4PC50UDPBF — IGBT-транзистор кристалл N-канальный, 600 В, ток 55 А, мощность 200 Вт, корпус TO-247AC