BC856ALT1G — купить, цена, наличие
| Наименование: | BC856ALT1G |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Биполярные транзисторы |
| Артикул: | 012253 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
PNP-транзистор, ток 0,1 А, напряжение 65 В, корпус SOT-23.
BC856ALT1G — это биполярный PNP-транзистор с допустимым током коллектора до 0,1 А и напряжением коллектор-эмиттер до 65 В. Компонент выполнен в корпусе SOT-23, что обеспечивает компактные габариты и удобство монтажа.
Отличительной особенностью данного транзистора является его способность работать с относительно высоким напряжением при умеренных значениях тока. В отличие от низковольтных аналогов, он подходит для использования в цепях питания и управления силовыми устройствами, где требуется устойчивость к высоким напряжениям и одновременно невысокий уровень рассеиваемой мощности. Выбор именно этого компонента оправдан в схемах, где необходимо сочетание компактности, умеренной мощности и высокого рабочего напряжения.
| Корпус | SOT-23-3 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -650 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 65 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Номинальный ток | -100 mA |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Частота | 100 MHz |
| Произведение усиления на полосу | 100 MHz |
| Высота | 940 µm |
| hFE (мин.) | 125 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 2.9 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Макс. напряжение пробоя | 65 V |
| Макс. ток коллектора | 100 mA |
| Максимальная частота | 100 MHz |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 225 mW |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Полярность | PNP |
| Рассеиваемая мощность | 300 mW |
| Радиационная стойкость | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Номинальное напряжение (DC) | -65 V |
| Ширина | 1.3 mm |
| Документ | Скачать | |
| Datasheet | Скачать (9 стр.) | |
| Datasheet | Скачать (7 стр.) | |
| Datasheet | Скачать (8 стр.) |
Похожие товары — Биполярные транзисторы
- BC856A — Транзистор биполярный малой мощности PNP, ток 0,1 А, напряжение 65 В, корпус SOT-23
- BC856B — Малосигнальный PNP-транзистор, ток коллектора 0,1 А, напряжение 65 В, кремниевый, корпус…
- BC857B — Малосигнальный PNP-транзистор, ток коллектора 0,1 А, напряжение 45 В, кремниевый.
- BC857B,215 — Биполярный транзистор (BJT) BC857B, PNP
- BC857BDW SOT363 — Сдвоенный биполярный транзистор onsemi BC857BDW, PNP, 45 В, 100 мА, корпус SOT-363
- BC857BS — Биполярный транзистор малой мощности PNP сдвоенный, ток 0,1 А, напряжение 45 В
- BC857BWH6778XTSA1 — PNP-транзистор общего назначения, 45 В, 0,1 А, корпус SOT-323, лента.
- BC857C — Транзистор биполярный PNP общего назначения, 45 В, ток 0,1 А, мощность 250 мВт, автомобил…
- BC857C,215 — Биполярный транзистор (BJT) BC857C, PNP
- BD681 — Биполярный NPN-транзистор, напряжение 100 В, ток 4 А, мощность 40 Вт, корпус TO-126.
- BDX33CG — Составной NPN-транзистор Дарлингтона, 10 А, 100 В.
- BDX53C — Биполярный NPN-транзистор, напряжение 100 В, ток 8 А, мощность 60 Вт, корпус TO-220.