BC857BDW SOT363 — купить, цена, наличие
| Наименование: | BC857BDW SOT363 |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Биполярные транзисторы |
| Артикул: | 013429 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Сдвоенный биполярный транзистор onsemi BC857BDW, PNP, 45 В, 100 мА, корпус SOT-363
Onsemi BC857BDW представляет собой сдвоенный биполярный транзистор типа PNP, предназначенный для работы в цепях с напряжением до 45 В и током до 100 мА. Компонент выполнен в компактном корпусе SOT-363, что позволяет экономить место на плате и облегчает автоматическую сборку.
При проектировании печатной платы с использованием данного транзистора рекомендуется уделять особое внимание разводке земляных и сигнальных дорожек, чтобы минимизировать перекрестные помехи между транзисторами внутри одного корпуса. Также стоит учесть, что небольшие размеры корпуса могут потребовать использования высокоточных методов пайки и поверхностного монтажа, таких как Vapour Phase или Reflow.
| Корпус | SOT-363-6 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -650 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 45 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Номинальный ток | -100 mA |
| Конфигурация элементов | Сдвоенный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Частота | 100 MHz |
| Произведение усиления на полосу | 100 MHz |
| Высота | 900 µm |
| hFE (мин.) | 220 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 2 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Макс. напряжение пробоя | 45 V |
| Макс. ток коллектора | 100 mA |
| Максимальная частота | 100 MHz |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 380 mW |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Число элементов | 2 |
| Число выводов | 6 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Полярность | PNP |
| Рассеиваемая мощность | 380 mW |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Номинальное напряжение (DC) | -45 V |
| Ширина | 1.25 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (3 стр.) |
Позиция есть у 32 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Биполярные транзисторы
- BC857B — Малосигнальный PNP-транзистор, ток коллектора 0,1 А, напряжение 45 В, кремниевый.
- BC857B,215 — Биполярный транзистор (BJT) BC857B, PNP
- BC857BS — Биполярный транзистор малой мощности PNP сдвоенный, ток 0,1 А, напряжение 45 В
- BC857BWH6778XTSA1 — PNP-транзистор общего назначения, 45 В, 0,1 А, корпус SOT-323, лента.
- BC857C — Транзистор биполярный PNP общего назначения, 45 В, ток 0,1 А, мощность 250 мВт, автомобил…
- BC857C,215 — Биполярный транзистор (BJT) BC857C, PNP
- BC856A — Транзистор биполярный малой мощности PNP, ток 0,1 А, напряжение 65 В, корпус SOT-23
- BC856ALT1G — PNP-транзистор, ток 0,1 А, напряжение 65 В, корпус SOT-23.
- BC856B — Малосигнальный PNP-транзистор, ток коллектора 0,1 А, напряжение 65 В, кремниевый, корпус…
- SS8050-FX — Биполярный транзистор (BJT) SS8050-FX, NPN
- SS8050-G — NPN биполярный транзистор SS8050, напряжение 25 В, ток 1.5 А, частота 100 МГц, корпус SOT…
- SS8050-G(RANGE:120-200) — Биполярный транзистор (BJT) SS8050-G, NPN, группа усиления 120-200