SS8050D — купить, цена, наличие

MPN SS8050D · onsemi
Наименование:SS8050D
Производитель:onsemi
Категория:Биполярные транзисторы
Артикул:012939
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт 3.04 ₽ Ориентир, обновлена вчера. Точная цена — в счёте

Транзистор биполярный NPN эпитаксиальный кремниевый, 25 В, ток 1500 мА, частота 100 МГц, мощность 1 Вт, корпус TO-92

SS8050D — это биполярный транзистор общего назначения типа NPN, выполненный по эпитаксиальной технологии на основе кремния. Компонент рассчитан на работу при напряжении до 25 В и способен пропускать постоянный ток коллектора до 1500 мА. При этом максимальная рассеиваемая мощность составляет 1 Вт, а граничная частота передачи сигнала достигает 100 МГц. Корпус транзистора выполнен в стандартном исполнении TO-92, обеспечивающем удобную установку и надежное крепление на печатной плате.

При проектировании печатных плат с использованием данного транзистора рекомендуется соблюдать минимальные зазоры между проводниками для предотвращения паразитных связей и возможного пробоя изоляции. Благодаря невысокой граничной частоте транзистор подходит для низкочастотных схем усиления, переключения и генерации сигналов, таких как драйверы реле или коммутаторы нагрузки. При компоновке узлов важно учитывать тепловое расширение материалов и обеспечивать достаточный теплоотвод, чтобы не превысить допустимую мощность рассеивания.

КорпусTO-92
China RoHSСоответствует
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер25 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO)25 V
Покрытие контактаОлово
Номинальный ток1.5 A
Конфигурация элементовОдиночный
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Частота100 MHz
Произведение усиления на полосу100 MHz
Высота4.58 mm
hFE (мин.)160
Дата выпуска1999-01-01
Без свинцаБез свинца
Длина4.58 mm
Статус жизненного циклаСнимается с производства
Статус жизненного цикла производителяLAST SHIPMENTS (Last Updated: 13 hours ago)
Макс. напряжение пробоя25 V
Макс. ток коллектора1.5 A
Максимальная рабочая температура150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность1 W
Минимальная рабочая температура-65 °C
Тип монтажаМонтаж в отверстия (THT)
Число элементов1
Число выводов3
ПолярностьNPN
Рассеиваемая мощность1 W
Радиационное упрочнениеНет
REACH SVHCДа
RoHSСоответствует
Код Schedule B8541290080
Частота перехода190 MHz
Номинальное напряжение (DC)25 V
Масса240 mg
Ширина3.86 mm
ДокументСкачать
Информационный листСкачать (6 стр.)
Информационный листСкачать
Информационный листСкачать (4 стр.)
Rohs StatementСкачать (3 стр.)

Похожие товары — Биполярные транзисторы

Все товары категории «Биполярные транзисторы»