MMDT2227-7-F — купить, цена, наличие
| Наименование: | MMDT2227-7-F |
| Производитель: | Diodes Inc. |
| Категория: | Биполярные транзисторы |
| Артикул: | 012231 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Массив биполярных транзисторов Diodes Inc. MMDT2227, NPN/PNP, 40/60 В, ток 600 мА, 200 мВт
MMDT2227-7-F представляет собой массив из двух комплементарных биполярных транзисторов NPN и PNP, произведённых компанией Diodes Inc. Компонент характеризуется напряжением коллектор-эмиттер до 40 В для NPN и до 60 В для PNP, током коллектора до 600 мА и рассеиваемой мощностью 200 мВт. Транзистор предназначен для поверхностного монтажа и обладает стандартной конфигурацией выводов для удобства интеграции в различные схемы.
Отрасли, использующие подобные транзисторы, включают автомобильную электронику, бытовую технику и промышленное оборудование. В автомобильной сфере важным требованием является устойчивость к вибрациям и широкий диапазон рабочих температур. Для бытовой техники актуальны компактные размеры и экономичность, тогда как промышленное оборудование часто предъявляет повышенные требования к надёжности и долговечности работы транзисторов.
| Корпус | SOT-363 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 40 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток коллектора | 600 mA |
| Номинальный ток | 600 mA |
| Конфигурация элементов | Сдвоенный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Частота | 300 MHz |
| Произведение усиления на полосу | 300 MHz |
| Высота | 1 mm |
| hFE (мин.) | 40 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 2.2 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. напряжение пробоя | 60 V |
| Макс. ток коллектора | 600 mA |
| Максимальная частота | 300 MHz |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 200 mW |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 2 |
| Число выводов | 6 |
| Число выводов | 6 |
| Упаковка | Отрезок ленты |
| Полярность | NPN, PNP |
| Рассеиваемая мощность | 200 mW |
| Радиационная стойкость | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080, 8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080 |
| Тип вывода | SMD/SMT |
| Частота перехода | 300 MHz |
| Время задержки выключения | 285 ns |
| Время задержки включения | 35 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | 40 V |
| Масса | 6.010099 mg |
| Ширина | 1.35 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (4 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (4 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (4 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (127 стр.) |
Похожие товары — Биполярные транзисторы
- KRC102S-RTK/P — KRC102S-RTK/P
- KSP2222ABU — KSP2222ABU
- KSP2222ATA — KSP2222ATA
- MJD350-13 — Diodes Inc. MJD350-13
- MJE15033G — MJE15033G
- MJE15035G — onsemi MJE15035G
- MMBT3904 — MMBT3904
- MMBT3904 1AM — MMBT3904 1AM
- MMBT4403 — MMBT4403
- MMBT489LT1G — MMBT489LT1G
- MMBT5089LT1G — MMBT5089LT1G
- MMBT5401 — MMBT5401