MMDT2227-7-F — купить, цена, наличие

MPN MMDT2227-7-F · Diodes Inc.
Наименование:MMDT2227-7-F
Производитель:Diodes Inc.
Категория:Биполярные транзисторы
Артикул:012231
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт Уточняем цену…
Цены и наличие у поставщиков Запросить КП

Массив биполярных транзисторов Diodes Inc. MMDT2227, NPN/PNP, 40/60 В, ток 600 мА, 200 мВт

MMDT2227-7-F представляет собой массив из двух комплементарных биполярных транзисторов NPN и PNP, произведённых компанией Diodes Inc. Компонент характеризуется напряжением коллектор-эмиттер до 40 В для NPN и до 60 В для PNP, током коллектора до 600 мА и рассеиваемой мощностью 200 мВт. Транзистор предназначен для поверхностного монтажа и обладает стандартной конфигурацией выводов для удобства интеграции в различные схемы.

Отрасли, использующие подобные транзисторы, включают автомобильную электронику, бытовую технику и промышленное оборудование. В автомобильной сфере важным требованием является устойчивость к вибрациям и широкий диапазон рабочих температур. Для бытовой техники актуальны компактные размеры и экономичность, тогда как промышленное оборудование часто предъявляет повышенные требования к надёжности и долговечности работы транзисторов.

КорпусSOT-363
China RoHSСоответствует
Напряжение коллектор-база (VCBO)75 V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO)40 V
Покрытие контактаОлово
Постоянный ток коллектора600 mA
Номинальный ток600 mA
Конфигурация элементовСдвоенный
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Частота300 MHz
Произведение усиления на полосу300 MHz
Высота1 mm
hFE (мин.)40
Без свинцаБез свинца
Длина2.2 mm
Статус жизненного циклаПроизводится
Макс. напряжение пробоя60 V
Макс. ток коллектора600 mA
Максимальная частота300 MHz
Макс. рабочая температура150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность200 mW
Мин. рабочая температура-55 °C
Тип монтажаПоверхностный монтаж (SMD)
Число элементов2
Число выводов6
УпаковкаОтрезок ленты
ПолярностьNPN, PNP
Рассеиваемая мощность200 mW
Радиационная стойкостьНет
REACH SVHCДа
RoHSСоответствует
Код Schedule B8541210080
Тип выводаSMD/SMT
Частота перехода300 MHz
Время задержки выключения285 ns
Время задержки включения35 ns
Номинальное напряжение (DC)40 V
Масса6.010099 mg
Ширина1.35 mm
ДокументСкачать
Информационный листСкачать (10 стр.)
Информационный листСкачать (6 стр.)
Информационный листСкачать (4 стр.)
Технический чертежСкачать (6 стр.)
Информационный листСкачать (5 стр.)
Rohs StatementСкачать (127 стр.)
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.

Похожие товары — Биполярные транзисторы

Все товары категории «Биполярные транзисторы»