onsemi MJE15035G — купить, цена, наличие
| Наименование: | onsemi MJE15035G |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Биполярные транзисторы |
| Артикул: | 001000 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Высоковольтный PNP биполярный транзистор, ток 4 А, напряжение 350 В, корпус TO-220AB
Высоковольтный PNP транзистор MJE15035G производства компании onsemi характеризуется максимальным током коллектора до 4 А и напряжением коллектор-эмиттер до 350 В. Компонент выполнен в стандартном корпусе TO-220AB, который обеспечивает эффективное охлаждение и подходит для монтажа на радиаторы.
В схемах управления мощными нагрузками, таких как реле, электромагниты или силовые ключи, часто допускается ошибка подключения без защитного диода параллельно коллекторно-эмиттерному переходу. При переключении индуктивной нагрузки возникает обратное напряжение самоиндукции, которое может значительно превышать рабочее напряжение транзистора. Это приводит к пробою перехода и выходу транзистора из строя.
| Корпус | TO-220-3 |
| China RoHS | Не соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 350 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 350 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 350 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Номинальный ток | -4 A |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Частота | 30 MHz |
| Произведение усиления на полосу | 30 MHz |
| Высота | 9.28 mm |
| hFE (мин.) | 10 |
| Дата выпуска | 2003-10-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 10.28 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Макс. ток коллектора | 4 A |
| Максимальная частота | 30 MHz |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 50 W |
| Мин. рабочая температура | -65 °C |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Полярность | PNP |
| Рассеиваемая мощность | 2 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| REACH SVHC | Нет |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Частота перехода | 30 MHz |
| Номинальное напряжение (DC) | -350 V |
| Масса | 4.535924 g |
| Ширина | 4.82 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) | |
| Materials Sheet | Скачать | |
| Rohs Statement | Скачать (3 стр.) | |
| Reach Statement | Скачать (8 стр.) |
Похожие товары — Биполярные транзисторы
- MJE15033G — Аудио биполярный транзистор onsemi MJE15033, PNP, 250 В, 8 А, 50 Вт, корпус TO-220
- SS8050(RANGE:200-300) — Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Jiangsu Huaneng Elec, NPN, группа усиления 200-300
- SS8050(RANGE:200-350) — Биполярный транзистор (BJT) SS8050, NPN, группа усиления 200-350
- SS8050(RANGE:300-400) — NPN биполярный транзистор SS8050, напряжение 25 В, ток 1.5 А, корпус SOT-23, группа по hF…
- SS8050(SOT-23) — Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Fairchild Semiconductor, NPN, корпус SOT-23
- SS8050(SOT-89) — Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Born Semiconductor, NPN, корпус SOT-89
- SS8050(SOT89-3L) — Биполярный транзистор (BJT) SS8050, HXY MOSFET, NPN, корпус SOT89-3L
- SS8050(SOT89) — Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Tech Public, NPN, корпус SOT89
- SS8050CBU — Малосигнальный NPN-транзистор SS8050, ток коллектора 1.5 А, напряжение пробоя 25 В, корпу…
- SS8050CTA — Малосигнальный NPN-транзистор SS8050, ток коллектора 1.5 А, напряжение пробоя 25 В, корпу…
- SS8050D — Транзистор биполярный NPN эпитаксиальный кремниевый, 25 В, ток 1500 мА, частота 100 МГц,…
- SS8050D (SS8050CBU), TO-92 транзистор — Биполярный транзистор (BJT) SS8050D (аналог SS8050CBU), NPN, корпус TO-92