SS8050(SOT89) — купить, цена, наличие
| Наименование: | SS8050(SOT89) |
| Производитель: | Tech Public |
| Категория: | Биполярные транзисторы |
| Артикул: | 012902 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Биполярный транзистор (BJT) SS8050, Tech Public, NPN, корпус SOT89
NPN-транзистор Tech Public для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23 (TO-236-3, SC-59). Ток коллектора до 1,5 А, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 25 В. Напряжение насыщения не превышает 500 мВ при Ic 800 мА и Ib 80 мА, hFE не ниже 120 при 100 мА и 1 В, ток отсечки коллектора до 100 нА. Мощность рассеяния 300 мВт, частота перехода 100 МГц, температура перехода до 150 °C.
В отличие от маломощного MOSFET, которым часто заменяют такие ключи, биполярный транзистор управляется током базы. Ему нужен базовый резистор, зато он уверенно открывается от низковольтного выхода микроконтроллера и не зависит от порога затвора. Хороший выбор для коммутации реле, зуммеров и светодиодов. На индуктивную нагрузку обязательно ставьте обратный диод. Сотни миллиампер допустимы лишь в импульсе, иначе потери насыщения превысят 300 мВт корпуса.
| Тип транзистора | NPN |
| Ток коллектора (Ic) (Макс.) | 1.5 A |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) | 25 V |
| Насыщение Vce (Макс.) при Ib, Ic | 500mV @ 80mA, 800mA |
| Ток отсечки коллектора (Макс.) | 100nA |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (Мин.) при Ic, Vce | 120 @ 100mA, 1V |
| Мощность рассеяния (Макс.) | 300 mW |
| Частота перехода | 100MHz |
| Диапазон рабочих температур | 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Корпус/Упаковка | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус устройства поставщика | SOT-23 |
| Статус компонента | Активен |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — Биполярные транзисторы
- SS8050 — NPN-транзистор SS8050, ток коллектора 1.5 А, напряжение пробоя 25 В, корпус TO-92
- SS8050 L — Транзистор биполярный NPN, 25 В, ток 1,5 А, частота 100 МГц, мощность 625 мВт, корпус SOT…
- SS8050 -Y1, SOT-23 транзистор — Биполярный транзистор (BJT) SS8050-Y1, NPN, корпус SOT-23
- SS8050 (DC:2025/01) — Биполярный транзистор (BJT) SS8050, NPN, партия 2025/01
- SS8050 160-400 — NPN-транзистор SS8050, ток 1.5 А, ток утечки 100 нА, группа по hFE 160-400, корпус SOT-23
- SS8050 200-350 — NPN-транзистор SS8050, ток 1.5 А, ток утечки 100 нА, группа по hFE 200-350, корпус SOT-23
- SS8050 SOT-323 — NPN биполярный транзистор SS8050, напряжение 25 В, ток 1.5 А, корпус SOT-323
- SS8050 TO-92 — Биполярный транзистор Slkor SS8050, малосигнальный, NPN, ток коллектора 1.5 А, напряжение…
- SS8050 Y1 0.52 — NPN биполярный транзистор SS8050, напряжение 25 В, ток 1.5 А, корпус SOT-23, SMD
- SS8050 Y1 200-350 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050 Y1, NPN, группа усиления 200-350
- SS8050 Y1-TD(0.4) — Биполярный транзистор (BJT) SS8050 Y1-TD, NPN, лента
- SS8050 Y1-TD(0.52) — NPN биполярный транзистор SS8050, напряжение 25 В, ток 1.5 А, корпус SOT-23, SMD