BD139G — купить, цена, наличие

MPN BD139G · onsemi
Наименование:BD139G
Производитель:onsemi
Категория:Биполярные транзисторы
Артикул:013101
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт 49.79 ₽ Ориентир, на 06.11.2026. Точная цена — в счёте

Мощный NPN-транзистор BD139G, ток 1.5 А, напряжение 80 В

Биполярный NPN-транзистор средней мощности от onsemi в корпусе TO-225 (также обозначается TO-126) для монтажа в отверстия. Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) 80 В, коллектор-база 100 В, эмиттер-база 5 В. Номинальный ток коллектора 1,5 А, мощность рассеяния 12,5 Вт, напряжение насыщения 500 мВ, минимальный hFE 25. Длина корпуса 7,74 мм, высота 13,64 мм. Выводы покрыты оловом, исполнение бессвинцовое и соответствует China RoHS.

Такие транзисторы ставят в ключи управления реле, соленоидами и небольшими двигателями, в выходные каскады линейных стабилизаторов и в драйверы перед более мощными силовыми приборами. Типичная ошибка при работе в ключевом режиме — рассчитывать ток базы по «среднему» усилению, а не по минимальному hFE. Транзистор при этом не входит в насыщение и остаётся в активной области. Падение на переходе коллектор-эмиттер вырастает с долей вольта до нескольких вольт, мощность превращается в тепло, корпус перегревается, и ключ выходит из строя даже при токе ниже номинального. Ток базы нужно закладывать с запасом. Также учтите, что металлическая площадка корпуса TO-126 обычно соединена с коллектором, поэтому на общий радиатор транзистор ставят через изолирующую прокладку.

КорпусTO-225
China RoHSСоответствует
Напряжение коллектор-база (VCBO)100 V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO)80 V
Покрытие контактаОлово
Номинальный ток1.5 A
Конфигурация элементовОдиночный
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Высота13.64 mm
hFE (мин.)25
Дата выпуска1999-01-01
Без свинцаБез свинца
Длина7.74 mm
Статус жизненного циклаПроизводится
Статус жизненного цикла производителяАктивен
Макс. ток коллектора1.5 A
Максимальная температура перехода150 °C
Максимальная рабочая температура150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность12.5 W
Минимальная рабочая температура-55 °C
Число элементов1
Число выводов3
УпаковкаРоссыпь
ПолярностьNPN
Рассеиваемая мощность1.25 W
Радиационное упрочнениеНет
REACH SVHCНет
RoHSСоответствует
Код Schedule B8541290080
Номинальное напряжение (DC)80 V
Масса4.535924 g
Ширина2.66 mm
ДокументСкачать
Информационный листСкачать (5 стр.)
Информационный листСкачать (4 стр.)
Технический чертежСкачать (1 стр.)
Информационный листСкачать (3 стр.)
Rohs StatementСкачать (3 стр.)
Reach StatementСкачать (8 стр.)

Похожие товары — Биполярные транзисторы

Все товары категории «Биполярные транзисторы»