BD681 — купить, цена, наличие

MPN BD681 · STMicroelectronics
Наименование:BD681
Производитель:STMicroelectronics
Категория:Биполярные транзисторы
Артикул:012288
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт 7.89 ₽ Ориентир, обновлена сегодня. Точная цена — в счёте

Биполярный NPN-транзистор, напряжение 100 В, ток 4 А, мощность 40 Вт, корпус TO-126.

BD681 — мощный биполярный транзистор структуры NPN производства компании STMicroelectronics, предназначенный для работы в цепях с высокими напряжениями и токами. Его основные параметры включают максимальное рабочее напряжение коллектора до 100 В, ток коллектора до 4 А и рассеиваемую мощность до 40 Вт. Корпус TO-126 обеспечивает хорошие условия теплоотвода, что позволяет эффективно использовать транзистор в силовых схемах.

В процессе эксплуатации BD681 может выделять значительное количество тепла, особенно при работе вблизи предельных значений по току и напряжению. Для предотвращения перегрева необходимо обеспечить эффективный отвод тепла, например, используя радиаторы или улучшенные условия вентиляции. Со временем возможно незначительное изменение параметров транзистора, связанное с естественным процессом старения полупроводникового материала, однако качественные транзисторы от известных производителей, таких как STMicroelectronics, демонстрируют высокую стабильность характеристик даже после длительного срока службы.

КорпусSOT-32
China RoHSНе соответствует
Напряжение коллектор-база (VCBO)100 V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.5 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO)100 V
Покрытие контактаОлово
Постоянный ток коллектора4 A
Номинальный ток4 A
Конфигурация элементовОдиночный
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Высота10.8 mm
hFE (мин.)750
Дата выпуска1980-01-04
Без свинцаБез свинца
Длина7.8 mm
Статус жизненного циклаПроизводится
Макс. ток коллектора4 A
Макс. рабочая температура150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность40 W
Мин. рабочая температура-65 °C
Тип монтажаМонтаж в отверстия (THT)
Число элементов1
Число выводов3
ПолярностьNPN
Рассеиваемая мощность40 W
Радиационная стойкостьНет
REACH SVHCНет
RoHSСоответствует
Частота перехода10 MHz
Номинальное напряжение (DC)100 V
Ширина2.7 mm
ДокументСкачать
DatasheetСкачать (12 стр.)
DatasheetСкачать (6 стр.)
DatasheetСкачать (4 стр.)
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.

Похожие товары — Биполярные транзисторы

Все товары категории «Биполярные транзисторы»