BD681 — купить, цена, наличие
| Наименование: | BD681 |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Категория: | Биполярные транзисторы |
| Артикул: | 012288 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Биполярный NPN-транзистор, напряжение 100 В, ток 4 А, мощность 40 Вт, корпус TO-126.
BD681 — мощный биполярный транзистор структуры NPN производства компании STMicroelectronics, предназначенный для работы в цепях с высокими напряжениями и токами. Его основные параметры включают максимальное рабочее напряжение коллектора до 100 В, ток коллектора до 4 А и рассеиваемую мощность до 40 Вт. Корпус TO-126 обеспечивает хорошие условия теплоотвода, что позволяет эффективно использовать транзистор в силовых схемах.
В процессе эксплуатации BD681 может выделять значительное количество тепла, особенно при работе вблизи предельных значений по току и напряжению. Для предотвращения перегрева необходимо обеспечить эффективный отвод тепла, например, используя радиаторы или улучшенные условия вентиляции. Со временем возможно незначительное изменение параметров транзистора, связанное с естественным процессом старения полупроводникового материала, однако качественные транзисторы от известных производителей, таких как STMicroelectronics, демонстрируют высокую стабильность характеристик даже после длительного срока службы.
| Корпус | SOT-32 |
| China RoHS | Не соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 100 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 100 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток коллектора | 4 A |
| Номинальный ток | 4 A |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Высота | 10.8 mm |
| hFE (мин.) | 750 |
| Дата выпуска | 1980-01-04 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 7.8 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. ток коллектора | 4 A |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 40 W |
| Мин. рабочая температура | -65 °C |
| Тип монтажа | Монтаж в отверстия (THT) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Полярность | NPN |
| Рассеиваемая мощность | 40 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| REACH SVHC | Нет |
| RoHS | Соответствует |
| Частота перехода | 10 MHz |
| Номинальное напряжение (DC) | 100 V |
| Ширина | 2.7 mm |
| Документ | Скачать | |
| Datasheet | Скачать (12 стр.) | |
| Datasheet | Скачать (6 стр.) | |
| Datasheet | Скачать (4 стр.) |
Похожие товары — Биполярные транзисторы
- JANSR2N2222AUB
- JANTX2N2222A — Транзистор биполярный NPN военного стандарта JANTX, 50 В, ток 0,8 А, корпус TO-218, вывод…
- JANTX2N2222AUB — Транзистор биполярный NPN военного стандарта JANTX, 50 В, ток 0,8 А, поверхностный монтаж
- JANTXV2N2222A
- JANTXV2N2222AUB — Транзистор биполярный NPN военного стандарта JANTXV, 50 В, ток 0,8 А, поверхностный монтаж
- JANTXV2N2222AUBP
- KRC101S-RTK/P — Биполярный транзистор KEC KRC101S с встроенными резисторами, NPN, малосигнальный, ток 0.1…
- KRC102S-RTK/P — Биполярный транзистор KEC KRC102S с встроенными резисторами, NPN, малосигнальный, ток 0.1…
- KSP2222ABU — Биполярный транзистор onsemi KSP2222A, малосигнальный, NPN, ток коллектора 0.6 А, напряже…
- KSP2222ATA — Биполярный транзистор onsemi KSP2222A, малосигнальный, NPN, ток коллектора 0.6 А, напряже…
- MJD350-13 — Биполярный транзистор PNP Diodes Inc. общего назначения, 300 В, 0.5 А, корпус DPAK, лента…
- MJE15033G — Аудио биполярный транзистор onsemi MJE15033, PNP, 250 В, 8 А, 50 Вт, корпус TO-220