SS8050DTA — купить, цена, наличие

MPN SS8050DTA · onsemi
Наименование:SS8050DTA
Производитель:onsemi
Категория:Биполярные транзисторы
Артикул:012885
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт Уточняем цену…

Эпитаксиальный NPN-транзистор SS8050, напряжение 25 В, ток 1500 мА, частота 100 МГц, мощность 1 Вт, корпус TO-92-3

Эпитаксиальный биполярный NPN-транзистор SS8050DTA производства компании onsemi предназначен для работы в схемах, требующих высокой линейности усиления и низкого уровня шумов. Компонент обладает номинальным напряжением коллектор-эмиттер до 25 В, максимальным током коллектора 1500 мА и частотой переключения до 100 МГц. Мощность рассеяния составляет 1 Вт, корпус исполнения — стандартный TO-92-3.

В реальных условиях эксплуатации транзистор демонстрирует стабильные электрические характеристики, однако необходимо учитывать его тепловое сопротивление и максимально допустимую температуру перехода. При длительной работе с высокими токами и напряжениями может наблюдаться незначительная деградация параметров, таких как коэффициент передачи тока базы и граничная частота. При проектировании схемы важно предусмотреть адекватное охлаждение для предотвращения перегрева и продления срока службы устройства.

КорпусTO-92
China RoHSСоответствует
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер25 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO)25 V
Покрытие контактаОлово
Номинальный ток1.5 A
Конфигурация элементовОдиночный
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Частота100 MHz
Произведение усиления на полосу100 MHz
Высота4.58 mm
hFE (мин.)160
Дата выпуска1999-01-01
Без свинцаБез свинца
Длина4.58 mm
Статус жизненного циклаСнимается с производства
Статус жизненного цикла производителяLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Макс. напряжение пробоя25 V
Макс. ток коллектора1.5 A
Максимальная рабочая температура150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность1 W
Минимальная рабочая температура-65 °C
Тип монтажаМонтаж в отверстия (THT)
Число элементов1
Число выводов3
ПолярностьNPN
Рассеиваемая мощность1 W
Радиационное упрочнениеНет
REACH SVHCДа
RoHSСоответствует
Код Schedule B8541290080
Частота перехода190 MHz
Номинальное напряжение (DC)25 V
Масса240 mg
Ширина3.86 mm
ДокументСкачать
Информационный листСкачать (6 стр.)
Информационный листСкачать
Информационный листСкачать (4 стр.)
Технический чертежСкачать (1 стр.)
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.

Похожие товары — Биполярные транзисторы

Все товары категории «Биполярные транзисторы»