SS8050DTA — купить, цена, наличие
| Наименование: | SS8050DTA |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Биполярные транзисторы |
| Артикул: | 012885 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Эпитаксиальный NPN-транзистор SS8050, напряжение 25 В, ток 1500 мА, частота 100 МГц, мощность 1 Вт, корпус TO-92-3
Эпитаксиальный биполярный NPN-транзистор SS8050DTA производства компании onsemi предназначен для работы в схемах, требующих высокой линейности усиления и низкого уровня шумов. Компонент обладает номинальным напряжением коллектор-эмиттер до 25 В, максимальным током коллектора 1500 мА и частотой переключения до 100 МГц. Мощность рассеяния составляет 1 Вт, корпус исполнения — стандартный TO-92-3.
В реальных условиях эксплуатации транзистор демонстрирует стабильные электрические характеристики, однако необходимо учитывать его тепловое сопротивление и максимально допустимую температуру перехода. При длительной работе с высокими токами и напряжениями может наблюдаться незначительная деградация параметров, таких как коэффициент передачи тока базы и граничная частота. При проектировании схемы важно предусмотреть адекватное охлаждение для предотвращения перегрева и продления срока службы устройства.
| Корпус | TO-92 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 25 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 25 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Номинальный ток | 1.5 A |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Частота | 100 MHz |
| Произведение усиления на полосу | 100 MHz |
| Высота | 4.58 mm |
| hFE (мин.) | 160 |
| Дата выпуска | 1999-01-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 4.58 mm |
| Статус жизненного цикла | Снимается с производства |
| Статус жизненного цикла производителя | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago) |
| Макс. напряжение пробоя | 25 V |
| Макс. ток коллектора | 1.5 A |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1 W |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Тип монтажа | Монтаж в отверстия (THT) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Полярность | NPN |
| Рассеиваемая мощность | 1 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Частота перехода | 190 MHz |
| Номинальное напряжение (DC) | 25 V |
| Масса | 240 mg |
| Ширина | 3.86 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (4 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Биполярные транзисторы
- SS8050D — Транзистор биполярный NPN эпитаксиальный кремниевый, 25 В, ток 1500 мА, частота 100 МГц,…
- SS8050D (SS8050CBU), TO-92 транзистор — Биполярный транзистор (BJT) SS8050D (аналог SS8050CBU), PNP, корпус TO-92
- SS8050D331 — Биполярный транзистор (BJT) SS8050D331, PNP
- SS8050DBU — Биполярный транзистор одиночный NPN, 25 В, частота 100 МГц, мощность 1 Вт, ток 1,5 А
- SS8050 — NPN-транзистор SS8050, ток коллектора 1.5 А, напряжение пробоя 25 В, корпус TO-92
- SS8050 L — Транзистор биполярный NPN, 25 В, ток 1,5 А, частота 100 МГц, мощность 625 мВт, корпус SOT…
- SS8050 -Y1, SOT-23 транзистор — Биполярный транзистор (BJT) SS8050-Y1, PNP, корпус SOT-23
- SS8050 (DC:2025/01) — Биполярный транзистор (BJT) SS8050, PNP, партия 2025/01
- SS8050 160-400 — NPN-транзистор SS8050, ток 1.5 А, ток утечки 100 нА, группа по hFE 160-400, корпус SOT-23
- SS8050 200-350 — NPN-транзистор SS8050, ток 1.5 А, ток утечки 100 нА, группа по hFE 200-350, корпус SOT-23
- SS8050 SOT-323 — NPN биполярный транзистор SS8050, напряжение 25 В, ток 1.5 А, корпус SOT-323
- SS8050 TO-92 — Биполярный транзистор Slkor SS8050, малосигнальный, NPN, ток коллектора 1.5 А, напряжение…