Analog Devices SSM2212CPZ-R7 — купить, цена, наличие
| Наименование: | Analog Devices SSM2212CPZ-R7 |
| Производитель: | Analog Devices |
| Категория: | Биполярные транзисторы |
| Артикул: | 002445 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Малосигнальный PNP-транзистор, сдвоенный, ток коллектора 0.02 А, напряжение пробоя 36 В, кремниевый
SSM2212CPZ-R7 — малосигнальный сдвоенный PNP-транзистор производства Analog Devices. Он выполнен по кремниевой технологии и предназначен для работы с малыми сигналами. Каждый из транзисторов имеет максимальный ток коллектора до 0.02 А и напряжение пробоя коллектор-эмиттер до 36 В. Корпус не указан, однако известно, что это сдвоенный транзистор, что позволяет экономить место на плате и упрощает проектирование.
Такой компонент используется в схемах, где требуется усиление слабых сигналов или переключение маломощных нагрузок. Сдвоенная структура транзистора позволяет реализовать дифференциальные каскады, компараторы или схемы с общим эмиттером. При расчёте схемы важно учитывать максимально допустимый ток коллектора и напряжение пробоя, чтобы избежать выхода транзистора из строя. Также необходимо правильно выбирать режим работы транзистора по постоянному току, задавая базовые токи и напряжения смещения.
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 50 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 40 V |
| Произведение усиления на полосу | 200 MHz |
| Высота | 800 µm |
| hFE (мин.) | 200 |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Производится |
| Макс. напряжение пробоя | 40 V |
| Макс. ток коллектора | 20 mA |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 85 °C |
| Мин. рабочая температура | -40 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 2 |
| Число выводов | 16 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| RoHS | Соответствует |
| Частота перехода | 200 MHz |
| Документ | Скачать | |
| Official datasheet | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (12 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (1 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Биполярные транзисторы
- SSM2212CPZ-RL — Малошумящий согласованный сдвоенный NPN-транзистор, корпус SOIC-8
- SSM2212RZ — Малошумящий согласованный сдвоенный NPN-транзистор для аудиоприменений
- SSM2212RZ-R7 — Согласованная пара NPN-транзисторов, 40 В, 20 мА, корпус SOIC-8
- SSM2212RZ-RL — Малошумящий сдвоенный NPN-транзистор общего назначения, 40 В, ток 0.02 А, корпус SOIC-8
- 2N3904TFR — Транзистор биполярный NPN общего назначения, ток 200 мА, напряжение 40 В
- 2N3904TFR. — Биполярный транзистор (BJT) 2N3904TFR, NPN
- 2N3904U — Биполярный транзистор (BJT) 2N3904U, HXY MOSFET, NPN
- 2N3904X — Биполярный транзистор (BJT) 2N3904X, NPN
- 2N6388G — Составной транзистор Дарлингтона onsemi, NPN, 80 В, 10 А
- 2SC4617 — Биполярный транзистор onsemi малой мощности, NPN, кремниевый, Ic 0,1 А, Uceo 50 В
- 2SC6082-1E — Биполярный транзистор onsemi, NPN, 50 В, 15 А, низкое напряжение насыщения Vce(sat), корп…
- BC547 — Биполярный транзистор onsemi BC547, NPN, выводной, hFE≈110, Ic 100 мА, Pd 500 мВт, fT 300…