MMSS8050W-J-TP — купить, цена, наличие
| Наименование: | MMSS8050W-J-TP |
| Производитель: | HXY MOSFET |
| Категория: | Биполярные транзисторы |
| Артикул: | 012899 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Малосигнальный биполярный транзистор, ток коллектора 1.5 А, напряжение пробоя 25 В
Биполярный малосигнальный транзистор MMSS8050W-J-TP производства компании HXY MOSFET предназначен для использования в цепях с невысокими уровнями сигнала. Характеристики транзистора включают ток коллектора до 1.5 А и максимальное напряжение пробоя 25 В, что делает его подходящим для применения в маломощных ключевых и линейных схемах.
При проектировании печатной платы с использованием данного транзистора рекомендуется уделять особое внимание правильной трассировке сигнальных линий. Рекомендуется минимизировать длину проводников, соединяющих базу транзистора, чтобы избежать нежелательных шумов и помех. Также стоит обратить внимание на размещение фильтрующих конденсаторов вблизи выводов питания транзистора для повышения устойчивости схемы к импульсным помехам.
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 25 V |
| hFE (мин.) | 300 |
| Дата выпуска | 2014-04-30 |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2025-01-18 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2025-07-18 |
| Макс. ток коллектора | 1.5 A |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать |
Похожие товары — Биполярные транзисторы
- MMSS8050-H — Биполярный транзистор (BJT) MMSS8050-H, NPN
- MMSS8050-H-HXY — Биполярный транзистор (BJT) MMSS8050, HXY MOSFET, NPN
- MMSS8050-H-TP — NPN-транзистор SS8050, напряжение 25 В, мощность 625 мВт, ток 1.5 А, корпус SOT-23
- MMSS8050-H-TP-CN — Биполярный транзистор (BJT) MMSS8050-H, NPN
- MMSS8050-L-TP — NPN-транзистор SS8050, напряжение 25 В, ток 1.5 А, частота 100 МГц, мощность 625 мВт, кор…
- BD139-25 — NPN биполярный транзистор BD139
- BD139(RANGE:100-250) — Биполярный транзистор (BJT) BD139, NPN, группа усиления 100-250
- BD13910S — NPN-транзистор BD139, напряжение пробоя 80 В, ток коллектора 1.5 А, корпус TO-225AA
- BD13910STU — NPN-транзистор BD139, напряжение 80 В, мощность 12.5 Вт, ток 1.5 А
- BD13916STU — NPN-транзистор BD139, напряжение 80 В, ток 1.5 А, 3 вывода
- BD13916STU-HXY — Биполярный транзистор (BJT) BD13916ST, HXY MOSFET, корпус TO-263
- BD139G — Мощный NPN-транзистор BD139G, ток 1.5 А, напряжение 80 В