MMSS8050-H-TP — купить, цена, наличие
| Наименование: | MMSS8050-H-TP |
| Производитель: | MCC |
| Категория: | Биполярные транзисторы |
| Артикул: | 012884 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
NPN-транзистор SS8050, напряжение 25 В, мощность 625 мВт, ток 1.5 А, корпус SOT-23
MCC MMSS8050-H-TP — это NPN-транзистор в корпусе SOT-23, рассчитанный на работу с максимальным напряжением коллектор-эмиттер до 25 В и током коллектора до 1.5 А. Мощность рассеяния составляет 625 мВт, что делает его подходящим для применения в маломощных и среднемощных цепях усилителей, драйверов и переключательных схем.
При монтаже данного транзистора важно учитывать его миниатюрные размеры и особенности корпуса SOT-23. Для обеспечения надёжного соединения и минимизации термического сопротивления рекомендуется использовать метод пайки волной припоя или инфракрасный нагрев. При монтаже вручную необходимо соблюдать осторожность, чтобы избежать перегрева полупроводникового кристалла, что может привести к сокращению срока службы устройства.
| Корпус | SOT-23 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 25 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 25 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Произведение усиления на полосу | 100 MHz |
| hFE (мин.) | 200 |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. напряжение пробоя | 25 V |
| Макс. ток коллектора | 1.5 A |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 300 mW |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Полярность | NPN |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (3 стр.) |
Похожие товары — Биполярные транзисторы
- MMSS8050-H-TP-CN — Биполярный транзистор (BJT) MMSS8050-H, NPN
- MMSS8050-H — Биполярный транзистор (BJT) MMSS8050-H, NPN
- MMSS8050-H-HXY — Биполярный транзистор (BJT) MMSS8050, HXY MOSFET, NPN
- MMSS8050-L-TP — NPN-транзистор SS8050, напряжение 25 В, ток 1.5 А, частота 100 МГц, мощность 625 мВт, кор…
- MMSS8050W-J-TP — Малосигнальный биполярный транзистор, ток коллектора 1.5 А, напряжение пробоя 25 В
- ULN2003AFWG(CHEHZA — Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003AFWG, Toshiba, корпус SSOP
- ULN2003ALQ/TR — Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003AL, HGSEMI, 7 каналов, лента
- ULN2003AP — Периферийный драйвер на базе буфера/инвертора ULN2003A, 7 драйверов, биполярный, корпус P…
- ULN2003APG — NPN-транзистор Дарлингтона ULN2003A, напряжение 50 В, ток 0.5 А, мощность 1470 мВт, корпу…
- ULN2003AU — 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003A, напряжение 50 В, корпус SOP-16
- ULN2003G — Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003G, UTC, 7 каналов
- ULN2003G-D16-T — Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003G, UTC, корпус SOP16, лента