TIP122G — купить, цена, наличие

MPN TIP122G · onsemi
Наименование:TIP122G
Производитель:onsemi
Категория:Биполярные транзисторы
Артикул:013084
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт 14.75 ₽ Ориентир, на 03.11.2026. Точная цена — в счёте

Транзистор Дарлингтона мощный NPN, ток 5 А, напряжение 100 В

TIP122G — мощный транзистор Дарлингтона структуры NPN, предназначенный для работы с высокими напряжениями и токами. Он обеспечивает максимальное напряжение коллектор-эмиттер до 100 В и способен коммутировать постоянный ток до 5 А. Подходит для использования в качестве силового ключа в цепях постоянного тока, обеспечивая высокий коэффициент усиления по току, характерный для транзисторов Дарлингтона.

При монтаже рекомендуется использовать теплоотвод, так как транзистор предназначен для работы с большими мощностями. Контактные площадки должны быть тщательно очищены и подготовлены перед пайкой, чтобы обеспечить надежный электрический контакт и минимизировать термическое сопротивление. Для предотвращения механических повреждений и улучшения теплоотвода стоит предусмотреть использование правильной техники монтажа и подходящих крепежных элементов.

КорпусTO-220-3
China RoHSНе соответствует
Напряжение коллектор-база (VCBO)100 V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO)100 V
Покрытие контактаОлово
Постоянный ток коллектора5 A
Номинальный ток5 A
Конфигурация элементовОдиночный
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Высота15.748 mm
hFE (мин.)1000
Дата выпуска1995-07-01
Без свинцаБез свинца
Длина10.2616 mm
Статус жизненного циклаПроизводится
Статус жизненного цикла производителяАктивен
Макс. ток коллектора5 A
Максимальная рабочая температура150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность65 W
Минимальная рабочая температура-65 °C
Число элементов1
Число выводов3
ПолярностьNPN
Рассеиваемая мощность2 W
Радиационное упрочнениеНет
REACH SVHCНет
RoHSСоответствует
Код Schedule B8541290080
Частота перехода4 MHz
Номинальное напряжение (DC)100 V
Масса4.535924 g
Ширина4.826 mm
ДокументСкачать
Информационный листСкачать (7 стр.)
Информационный листСкачать (1 стр.)
Информационный листСкачать (8 стр.)
Информационный листСкачать (4 стр.)
Rohs StatementСкачать (1 стр.)

Похожие товары — Биполярные транзисторы

Все товары категории «Биполярные транзисторы»