BCV27 — купить, цена, наличие
| Наименование: | BCV27 |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Биполярные транзисторы |
| Артикул: | 007009 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Составной транзистор Дарлингтона NPN, 30 В, ток 1,2 А, мощность 350 мВт, корпус SOT-23-3.
Составной транзистор Дарлингтона BCV27 производства компании onsemi предназначен для работы в цепях постоянного тока. Он обладает номинальным напряжением коллектор-эмиттер 30 В, способен пропускать постоянный ток до 1,2 А и рассеивать мощность до 350 мВт. Корпус транзистора — компактный SOT-23-3, подходящий для поверхностного монтажа.
При проектировании печатной платы рекомендуется уделять особое внимание правильной трассировке земли и сигнальных линий, чтобы избежать помех и обеспечить стабильную работу устройства. Благодаря малому размеру корпуса, BCV27 удобен для применения в ограниченных пространствах, но необходимо учитывать допустимую мощность рассеяния и обеспечивать адекватное охлаждение, если транзистор работает близко к предельным параметрам.
| Корпус | SOT-23 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 30 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Номинальный ток | 1.2 A |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10 V |
| Произведение усиления на полосу | 220 MHz |
| Высота | 1.11 mm |
| hFE (мин.) | 20000 |
| Дата выпуска | 1994-01-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 2.92 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Макс. напряжение пробоя | 30 V |
| Макс. ток коллектора | 1.2 A |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 250 mW |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Упаковка | Отрезок ленты |
| Полярность | NPN |
| Рассеиваемая мощность | 350 mW |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Частота перехода | 220 MHz |
| Номинальное напряжение (DC) | 30 V |
| Масса | 30 mg |
| Ширина | 1.3 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Технический чертеж | Скачать (1 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) |
Позиция есть у 29 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Биполярные транзисторы
- SS8050W — Биполярный транзистор (BJT) SS8050W, Fairchild Semiconductor, NPN
- SS8050W-1.5A — Биполярный транзистор (BJT) SS8050W, CBI Electric, NPN, ток 1.5 А
- SS8050W-H — Кремниевый биполярный NPN-транзистор SS8050
- SS8050W-L — NPN биполярный транзистор SS8050
- SS8050WGH — Биполярный транзистор (BJT) SS8050WGH, NPN
- SS8050X — Биполярный транзистор (BJT) SS8050X, NPN
- SSM2212CPZ-R7 — Малосигнальный PNP-транзистор, сдвоенный, ток коллектора 0.02 А, напряжение пробоя 36 В,…
- SSM2212CPZ-RL — Малошумящий согласованный сдвоенный NPN-транзистор, корпус SOIC-8
- SSM2212RZ — Малошумящий согласованный сдвоенный NPN-транзистор для аудиоприменений
- SSM2212RZ-R7 — Согласованная пара NPN-транзисторов, 40 В, 20 мА, корпус SOIC-8
- SSM2212RZ-RL — Малошумящий сдвоенный NPN-транзистор общего назначения, 40 В, ток 0.02 А, корпус SOIC-8
- TIP122 — Транзистор Дарлингтона комплементарный NPN/PNP TIP122, 100 В, ток 5 А, корпус TO-220-3