IRF9540NPBF — купить, цена, наличие

MPN IRF9540NPBF · Infineon
Наименование:IRF9540NPBF
Производитель:Infineon
Категория:Полевые МОП-транзисторы
Артикул:008805
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт 13.38 ₽ Ориентир, на 26.08.2026. Точная цена — в счёте
Цены и наличие у поставщиков Запросить КП

Транзистор MOSFET P-канальный HEXFET, 100 В, сопротивление канала 0,117 Ом, заряд затвора 97 нКл, корпус TO-220-3

IRF9540NPBF — мощный полевой транзистор P-канального типа производства Infineon Technologies, выполненный по технологии HEXFET. В корпусе TO-220-3 он обладает максимальным рабочим напряжением 100 В и сопротивлением открытого канала 0,117 Ом. Заряд затвора составляет 97 нКл, что влияет на скорость переключения транзистора.

При подборе аналога важно учитывать не только рабочее напряжение и сопротивление канала, но и заряд затвора, так как он определяет динамические характеристики и потери на переключение. Кроме того, убедитесь, что выбранный корпус совместим с существующей конструкцией и имеет аналогичные тепловые характеристики.

КорпусTO-220AB
Покрытие контактаОлово
Постоянный ток стока (ID)23 A
Номинальный ток-23 A
Напряжение пробоя сток-исток-100 V
Сопротивление сток-исток117 mΩ
Напряжение сток-исток (Vdss)-100 V
Двухполярное напряжение питания-100 V
Конфигурация элементовОдиночный
Время спада51 ns
Напряжение затвор-исток (Vgs)20 V
Высота15.24 mm
Входная ёмкость1.3 nF
Дата выпуска1996-06-01
Без свинцаСодержит свинец, Без свинца
Шаг выводов2.54 mm
Длина10.5156 mm
Статус жизненного циклаПроизводится
Дата последней закупки (LTB)2014-01-09
Дата последней поставки (LTD)2014-07-09
Максимальная температура перехода175 °C
Макс. рабочая температура175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность140 W
Мин. напряжение пробоя100 V
Мин. рабочая температура-55 °C
Тип монтажаМонтаж в отверстия (THT)
Номинальное Vgs-4 V
Число элементов1
Число выводов3
Число выводов3
Сопротивление в открытом состоянии117 mΩ
Количество в упаковке1000
УпаковкаРоссыпь
Рассеиваемая мощность94 W
Радиационная стойкостьНет
Rds(on) макс.117 mΩ
REACH SVHCДа
Время восстановления220 ns
Сопротивление117 mΩ
Время нарастания67 ns
RoHSСоответствует
Код Schedule B8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
Тип выводаМонтаж в отверстия (THT)
Пороговое напряжение-4 V
Время задержки выключения51 ns
Время задержки включения15 ns
Номинальное напряжение (DC)-100 V
Ширина4.69 mm
ДокументСкачать
Информационный листСкачать (10 стр.)
Информационный листСкачать (9 стр.)
Информационный листСкачать (9 стр.)
Информационный листСкачать
Информационный листСкачать (6 стр.)
Информационный листСкачать (9 стр.)
Информационный листСкачать (8 стр.)
Информационный листСкачать (3 стр.)
Информационный листСкачать (2 стр.)
Информационный листСкачать (10 стр.)
Информационный листСкачать (9 стр.)
Информационный листСкачать (9 стр.)
Информационный листСкачать (8 стр.)
Conflict Mineral StatementСкачать
Reach StatementСкачать (6 стр.)
Rohs StatementСкачать (1 стр.)
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.

Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы

Все товары категории «Полевые МОП-транзисторы»