IRLML5203TRPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRLML5203TRPBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007905 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET P-канальный, -30 В, ток -3 А, сопротивление канала 98 мОм, корпус MICRO3
IRLML5203TRPBF — это полевой МОП-транзистор P-канального типа с максимальным напряжением сток-исток -30 В и током стока до -3 А. Сопротивление открытого канала составляет всего 98 мОм, что делает его подходящим для приложений с высокими токами нагрузки. Компонент выполнен в компактном корпусе MICRO3, обеспечивающем миниатюризацию конструкции и удобство монтажа.
В приложениях с импульсными источниками питания или схемах управления нагрузкой распространённой ошибкой является неправильное размещение диода Шоттки параллельно транзистору. В случае P-канального MOSFET анод диода необходимо подключать к истоку, а катод — к стоку. Неправильная полярность включения может привести к выходу из строя как самого транзистора, так и окружающих элементов схемы.
| Корпус | SOT-23 |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 3 A |
| Номинальный ток | -3 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30 V |
| Сопротивление сток-исток | 98 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | -30 V |
| Двухполярное напряжение питания | -30 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 52 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.016 mm |
| Входная ёмкость | 510 pF |
| Дата выпуска | 2000-09-05 |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Длина | 3.0226 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1.25 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | -2.5 V |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 98 mΩ |
| Количество в упаковке | 3000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 1.25 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 98 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 98 MΩ |
| Время нарастания | 18 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Тип вывода | SMD/SMT |
| Пороговое напряжение | -2.5 V |
| Время задержки выключения | 88 ns |
| Время задержки включения | 12 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | -30 V |
| Ширина | 3.05 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (4 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRLML5103TRPBF — Транзистор MOSFET P-канальный, -30 В, ток 610 мА, сопротивление канала 600 мОм
- IRLML0030TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, 5,3 А, сопротивление канала 27 мОм, корпус SOT-23
- IRLML2402 — N-канальный MOSFET IRLML2402, напряжение 16 В, ток 1.2 А, сопротивление канала 0.25 Ом, м…
- IRLML2402TRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLML2402TRPBF, N-канал, лента
- IRLML2502G — Транзистор MOSFET N-канальный, корпус SOT-23
- IRLML2502G-VB — N-канальный MOSFET VBsemi, напряжение 20 В, ток 6 А, сопротивление канала 24 мОм при 4.5…
- IRLML2502GTRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 20 В, ток 4,2 А, корпус MICRO3
- IRLML2502GTRPBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRLML2502GTRPBF, JSMICRO, N-канал, лента
- IRLML2502GTRPBF-VB — N-канальный MOSFET VBsemi, напряжение 20 В, ток 6 А, сопротивление канала 24 мОм при 4.5…
- IRLML2502TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 12 В, ток 4,3 А, сопротивление канала 0,05 Ом, корпус SOT-…
- IRLML2803 — Транзистор MOSFET N-канальный, 25 В, ток 1,2 А, сопротивление канала 0,25 Ом, корпус SOT-…
- IRLML2803GTRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 30 В, ток 1,2 А, корпус MICRO3