Vishay Siliconix IRFP31N50L — купить, цена, наличие
| Наименование: | Vishay Siliconix IRFP31N50L |
| Производитель: | Vishay |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 002392 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Ориентировочная цена за 1000 шт
217.14 ₽
Ориентир, обновлена сегодня. Точная цена — в счёте
Транзистор MOSFET N-канальный, 500 В, ток 31 А, корпус TO-247AC, Vishay
Vishay Siliconix IRFP31N50L — мощный N-канальный полевой транзистор типа MOSFET, предназначенный для работы в цепях с высоким напряжением и током. Максимальное напряжение сток-исток составляет 500 В, а максимальный ток стока — 31 А. Корпус TO-247AC обеспечивает надёжное крепление и эффективное охлаждение, что делает его подходящим для силовых схем.
При подборе аналога данного транзистора необходимо учитывать такие параметры, как максимальное напряжение сток-исток, максимальный ток стока и тип корпуса. Аналог должен иметь аналогичные или превосходящие значения этих параметров, чтобы обеспечить корректную работу схемы и избежать перегрева или пробоя элемента.
| Корпус | TO-247-3 |
| Постоянный ток стока (ID) | 31 A |
| Номинальный ток | 31 A |
| Сопротивление сток-исток | 180 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 500 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 53 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 30 V |
| Высота | 20.7 mm |
| Входная ёмкость | 5 nF |
| Дата выпуска | 2001-05-23 |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Длина | 15.87 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2024-07-31 |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 460 W |
| Мин. напряжение пробоя | 500 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Монтаж в отверстия (THT) |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Упаковка | Россыпь |
| Рассеиваемая мощность | 460 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 180 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Время нарастания | 115 ns |
| RoHS | Не соответствует |
| Время задержки выключения | 54 ns |
| Время задержки включения | 28 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | 500 V |
| Масса | 38.000013 g |
| Ширина | 5.31 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (5 стр.) |
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRFP31N50LPBF — N-канальный силовой MOSFET 500 В, сопротивление открытого канала 0.18 Ом, корпус TO-247AC
- IRF640NS — МОП-транзистор (MOSFET) IRF640NS, N-канал
- IRF640SPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK
- IRF640STRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
- IRF640STRLPBF-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мО…
- IRF640STRRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
- IRF6646TR1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 80 В, 12 А, корпус DirectFET (7 выводов)
- IRF6646TR1PBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 80 В, ток 12 А, корпус DirectFET (7 выводов)
- IRF6646TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 80 В, сопротивление канала 9,5 мОм, заряд затвора 5…
- IRF7103TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 50 В, ток 3 А, корпус SOIC-8
- IRF7105 — Сдвоенный N/P-канальный силовой MOSFET HEXFET, напряжение 25 В, корпус SO-8
- IRF7105PBF — Транзистор MOSFET N/P-канальный сдвоенный, 25 В, ток 3,5/2,3 А, корпус SOIC-8