Vishay IRFL110TRPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | Vishay IRFL110TRPBF |
| Производитель: | Vishay |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 001092 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 0,54 Ом, корпус SOT-223
Vishay IRFL110TRPBF — это мощный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET) N-канального типа, предназначенный для работы в цепях с напряжением до 100 В. Сопротивление открытого канала составляет всего 0,54 Ом, что обеспечивает низкое падение напряжения и эффективное охлаждение при работе с высокими токами. Компонент выполнен в компактном корпусе SOT-223, удобном для поверхностного монтажа.
При подборе аналога данного транзистора необходимо обращать внимание на ключевые параметры: максимальное напряжение сток-исток, сопротивление открытого канала и допустимый ток стока. Также важно учитывать тип корпуса и его совместимость с используемой печатной платой. Не менее значимым является температурный диапазон работы и стойкость к перегрузкам по напряжению и току.
| Корпус | SOT-223 |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 1.5 A |
| Ток | 15 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Сопротивление сток-исток | 540 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 9.4 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.8 mm |
| Входная ёмкость | 180 pF |
| Дата выпуска | 2004-05-26 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 6.7 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Дата последней закупки (LTB) | 2008-06-30 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2008-09-30 |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 3.1 W |
| Мин. напряжение пробоя | 100 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Упаковка | Отрезок ленты |
| Рассеиваемая мощность | 3.1 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 540 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Сопротивление | 540 mΩ |
| Время нарастания | 16 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 15 ns |
| Время задержки включения | 6.9 ns |
| Напряжение | 100 V |
| Масса | 250.212891 mg |
| Ширина | 3.7 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (5 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRFL110TRPBF-BE3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 1,5 А, корпус SOT-223 (4 вывода)
- IRFL110TRPBF-VB — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 5 А, сопротивление канала 100 мОм, корпус SOT-2…
- IRFL110TR — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 1,5 А, корпус SOT-223 (4 вывода)
- IRFL110TR FB. — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, 1,5 А, корпус SOT-223 (4 вывода)
- IRFL110TR-VB — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 5 А, сопротивление канала 100 мОм, корпус SOT-2…
- IRFL110 — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 1,5 А, корпус SOT-223
- IRFL110PBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 0,54 Ом, корпус SOT-223
- CSD16401Q5-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 160 А, сопротивление канала 1.8 м…
- CSD16401Q5(ES) — МОП-транзистор (MOSFET) CSD16401Q5, N-канал
- CSD16401Q5T — N-канальный силовой MOSFET NexFET 25 В, сопротивление 2,3 мОм, корпус SON 5×6 мм 8-VSON-C…
- CSD17575Q3T — N-канальный силовой MOSFET NexFET 30 В, сопротивление 3,2 мОм, корпус SON 3×3 мм 8-VSON-C…
- CSD86330Q3D — Сдвоенный N-канальный MOSFET, 20 А, 25 В, сопротивление 4,6 мОм, корпус SON.