LESD8D12CT5G-HXY — купить, цена, наличие
| Наименование: | LESD8D12CT5G-HXY |
| Производитель: | HXY MOSFET |
| Категория: | Прочие компоненты |
| Артикул: | 007872 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Диод защиты от статики (ESD/TVS, сборка) LESD8D12, HXY MOSFET, напряжение 12 В
Диод защиты от электростатического разряда (ESD/TVS-диод) LESD8D12CT5G-HXY представляет собой сборку, предназначенную для защиты электронных устройств от импульсных перенапряжений, вызванных электростатическими разрядами. Характеризуется напряжением защиты 12 В, обеспечивая эффективную защиту чувствительных элементов схемы от повреждения.
Компонент востребован в отраслях, где требуется высокая степень защиты от электростатических разрядов, таких как производство телекоммуникационного оборудования, бытовой электроники, автомобильной электроники и промышленной автоматики. В этих сферах особое внимание уделяется надежности, быстродействию и низкому уровню собственных потерь в условиях импульсных воздействий.
| Характеристики не указаны. |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (4 стр.) |
Похожие товары — Прочие компоненты
- LESD5Z5.0CT1G-HXY — Диод защиты от статики (ESD/TVS) LESD5Z5.0, HXY MOSFET, напряжение 5.0 В
- 2835K06-40S10-2S2P-T12-EC — Светодиод серии 2835K06, типоразмер 2835
- 293D335X9050D2TE3 (T-D-50V-3,3UF-10) — Танталовый конденсатор 293D335X9050D2TE3, ёмкость 3.3 мкФ, напряжение 50 В, допуск 10%
- 2AHMR-ESP32-S — Модуль на базе ESP32, серия 2AHMR-ESP32-S
- 2SC3052 — NPN-транзистор общего назначения 2SC3052, напряжение 50 В, ток 0.2 А, корпус SC-59
- 2К+3 16A — Микроконтроллер Renesas на ядре RXv2 (32 бит), с DSP и FPU, энергоэффективный
- 2РМ14Б4Г1В1в — Разъём круглый 2РМ14Б4Г1В1В
- 2РМГ18Б7Ш1Е2 — Разъём круглый 2РМГ18Б7Ш1Е2
- 2РМД27Б19Ш5В1В — Разъём круглый 2РМД27Б19Ш5В1В
- 2РМДТ27Б19Ш5В1В — Разъём круглый 2РМДТ27Б19Ш5В1В
- 2РМДТ27КПН19Г5В1В — Разъём круглый 2РМДТ27КПН19Г5В1В
- 2РМТ14Б4Ш1В1В — Разъём круглый 2РМТ14Б4Ш1В1В