LESD5Z5.0CT1G-HXY — купить, цена, наличие
| Наименование: | LESD5Z5.0CT1G-HXY |
| Производитель: | HXY MOSFET |
| Категория: | Прочие компоненты |
| Артикул: | 007853 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Диод защиты от статики (ESD/TVS) LESD5Z5.0, HXY MOSFET, напряжение 5.0 В
Диод защиты от электростатического разряда (ESD/TVS) LESD5Z5.0CT1G-HXY предназначен для предотвращения повреждений чувствительных электронных компонентов от статических разрядов. Его основное назначение — защита цепей и узлов от перенапряжений, возникающих вследствие накопления электростатического заряда. Компонент производится компанией HXY MOSFET и рассчитан на рабочее напряжение 5.0 В.
При проектировании печатной платы рекомендуется размещать диод максимально близко к защищаемому устройству или выводу микросхемы, чтобы минимизировать длину соединительных дорожек. Это снижает вероятность попадания статического разряда непосредственно на чувствительные элементы схемы. Также стоит уделить внимание правильной трассировке сигнальных линий, обеспечивая их экранирование и заземление для дополнительной защиты от помех и наводок.
| Характеристики не указаны. |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — Прочие компоненты
- LESD8D12CT5G-HXY — Диод защиты от статики (ESD/TVS, сборка) LESD8D12, HXY MOSFET, напряжение 12 В
- MS2022-6R8MLB (CL201212T-6R8) — Дроссель (индуктивность) MS2022-6R8MLB, индуктивность 6.8 мкГн
- MS2029-1R0MLB (CL201209T-1R0) — Дроссель (индуктивность) MS2029-1R0MLB, индуктивность 1.0 мкГн
- MS2029-R15MLB (CL201209T-R15) — Дроссель (индуктивность) MS2029-R15MLB, индуктивность 0.15 мкГн
- MS2029-R22MLB (CL201209T-R22) — Дроссель (индуктивность) MS2029-R22MLB, индуктивность 0.22 мкГн
- MS2029-R33MLB (CL201209T-R33) — Дроссель (индуктивность) MS2029-R33MLB, индуктивность 0.33 мкГн
- MSLM358DR2G
- MSTP4056H — Контроллер заряда Li-Ion аккумуляторов MSTP4056H, MSKSemi Semiconductors
- MSTP4056H(2X2) — Контроллер заряда Li-Ion аккумуляторов MSTP4056H, MSKSemi Semiconductors, корпус 2x2 мм
- MSР430F2121IDWR — Микроконтроллер MSP430F2121, 16-бит, корпус SOIC (DWR)
- MT29F8G08ABACAWP-IT:С — Микросхема NAND флеш-памяти Micron MT29F, 8 Гбит, 3,6 В, параллельный интерфейс, корпус T…
- MTB180N06KSN3 — МОП-транзистор (MOSFET) MTB180N06KSN3, N-канал