ТРАНЗИСТОР IRF9640SPbF — купить, цена, наличие
| Наименование: | ТРАНЗИСТОР IRF9640SPbF |
| Производитель: | |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 009361 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (MOSFET) IRF9640SPbF, P-канал
МОП-транзистор (MOSFET) IRF9640SPbF относится к P-канальному типу. Он предназначен для использования в цепях с высокими напряжениями и токами, обеспечивая эффективное управление мощными нагрузками. Благодаря особенностям конструкции и технологии производства, этот транзистор обладает высокой скоростью переключения и низким сопротивлением в открытом состоянии, что делает его подходящим для применения в силовых электронных устройствах.
При проектировании печатной платы с использованием данного транзистора рекомендуется уделять особое внимание правильной трассировке сигнальных и силовых дорожек. С целью минимизации помех и обеспечения стабильной работы устройства силовые линии питания и земли должны иметь достаточную ширину и быть максимально короткими. Также стоит предусмотреть наличие радиатора для эффективного отвода тепла, учитывая возможные тепловые нагрузки в процессе эксплуатации.
| Документ | Скачать | |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- ТРАНЗИСТОР IRF640SPbF — МОП-транзистор (MOSFET) IRF640SPbF, N-канал
- JCS10N60CT-O-C-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 м…
- JCS10N60FT-O-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 мОм при…
- JCS10N60FT-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 м…
- JCS10N60T-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 м…
- JCS10N65CT-O-C-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 м…
- JCS10N65FT-O-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 м…
- JCS10N65FT-R-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 мОм при…
- JCS10N65FT-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 м…
- L2N7002DW1T1G — Сдвоенный N-канальный MOSFET Leshan Radio, 20 В, сопротивление 7.5 Ом, корпус SC-88
- L2N7002DW1T1G-MS — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала…
- ME2N7002DW-VB — N-канальный MOSFET, напряжение 60 В, ток 0.3 А, сопротивление канала 2000 мОм при 4.5 В