MTA18ASF2G72PZ-3G2R1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | MTA18ASF2G72PZ-3G2R1 |
| Производитель: | Micron |
| Категория: | Оперативная память (RAM) |
| Артикул: | 011053 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Модуль оперативной памяти Micron DDR4 RDIMM, 16 ГБ, 1.6 ГГц, PC4-25600, 288-контактный, серверный
Модуль оперативной памяти Micron DDR4 RDIMM обладает объёмом 16 ГБ и работает на частоте 1.6 ГГц, обеспечивая производительность на уровне PC4-25600. Стабильная работа обеспечивается благодаря высокому качеству изготовления и специализированному дизайну, подходящему для серверного оборудования. Контактная группа состоит из 288 контактов, что соответствует стандарту DDR4.
Использование данного модуля в настольных системах или потребительских устройствах может привести к нестабильной работе или полному отказу системы из-за отсутствия поддержки регистровой памяти (RDIMM), необходимой для корректной работы данного типа модулей. В таких случаях лучше использовать UDIMM-модули, предназначенные для менее требовательных конфигураций.
| Дата выпуска | 2024-07-24 |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2025-11-07 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2026-05-07 |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — Оперативная память (RAM)
- AS4C512M16D3LB-12BIN — Микросхема памяти DDR3L 512Мх16 (8Гбит), питание 1,35 В, корпус FBGA-96, промышленный диа…
- AS4C512M16D3LB-12BINTR — Микросхема памяти DRAM 8 Гбит DDP, организация 512М×16, питание 1,35 В, частота DDR3-1600.
- AS4C512M16D3LC-10BIN — Микросхема памяти DDR3 8 Гбит, организация 512М×16, питание 1,35 В, частота 933 МГц, корп…
- AS4C512M16D3LC-10BINTR — Микросхема памяти DDR3L 8 Гбит, организация 512М×16, питание 1,35 В, частота 933 МГц, кор…
- AS4C512M16D3LC-12BIN — Микросхема памяти DDR3L 8 Гбит, организация 512М×16, питание 1,35 В, частота 800 МГц, кор…
- AS4C512M16D3LC-12BINTR — Микросхема памяти DDR3L 8 Гбит, организация 512М×16, питание 1,35 В, частота 800 МГц, кор…
- DS1245ABP-70 — Энергонезависимая асинхронная NVSRAM память DS1245AB, объём 1 Мбит, время доступа 70 нс,…
- IS42S16400J-5BL — Микросхема памяти SDRAM 64 Мбит (4М×16), питание 3,3 В, частота 200 МГц, корпус BGA-54 (8…
- IS42S16400J-5BL-TR — Микросхема памяти SDRAM 64 Мбит (4М×16), питание 3,3 В, частота 200 МГц, корпус BGA-54 (8…
- IS42S16400J-5BLI — Микросхема памяти DDR SDRAM 4М×16, питание 3,3 В, корпус BGA-54
- IS42S16400J-5TL — Микросхема памяти SDRAM 64 Мбит (4М×16), питание 3,3 В, корпус TSOP-II-54
- IS42S16400J-5TL-TR — Микросхема памяти SDRAM 64 Мбит (4М×16), частота 200 МГц, поверхностный монтаж