Alliance Memory AS4C512M16D3LC-12BINTR — купить, цена, наличие
| Наименование: | Alliance Memory AS4C512M16D3LC-12BINTR |
| Производитель: | Alliance Memory |
| Категория: | Оперативная память (RAM) |
| Артикул: | 006014 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Микросхема памяти DDR3L 8 Гбит, организация 512М×16, питание 1,35 В, частота 800 МГц, корпус FBGA-96, промышленный диапазон, лента.
Микросхема памяти Alliance Memory AS4C512M16D3LC-12BINTR представляет собой модуль оперативной памяти типа DDR3L с объёмом 8 Гбит и организацией 512М×16. Она предназначена для работы с напряжением питания 1,35 В и поддерживает частоту до 800 МГц. Корпус выполнен в формате FBGA-96, обеспечивающем компактность и надёжное крепление на плате. Компонент рассчитан на промышленный диапазон температур, что делает его подходящим для использования в условиях повышенных или пониженных температур.
В эксплуатации микросхема демонстрирует стабильные рабочие характеристики благодаря низковольтному питанию и умеренной рабочей частоте. Нагрев незначительный даже при длительной работе, что снижает необходимость в дополнительных мерах теплоотвода. Со временем деградация параметров минимальна, что обеспечивает длительный срок службы и высокую надёжность в промышленных приложениях.
| Корпус | TFBGA |
| China RoHS | Соответствует |
| Высота в установленном положении (макс.) | 1.2 mm |
| Дата выпуска | 2022-06-30 |
| Длина | 13 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная частота | 800 MHz |
| Макс. рабочая температура | 95 °C |
| Макс. ток потребления | 350 mA |
| Макс. напряжение питания | 1.45 V |
| Мин. рабочая температура | -40 °C |
| Мин. напряжение питания | 1.283 V |
| Номинальное напряжение питания (DC) | 1.35 V |
| Число цепей | 1 |
| Число портов | 1 |
| Число выводов | 96 |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Шаг выводов | 800 µm |
| Ширина | 9 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (89 стр.) |
Похожие товары — Оперативная память (RAM)
- AS4C512M16D3LC-12BIN — Микросхема памяти DDR3L 8 Гбит, организация 512М×16, питание 1,35 В, частота 800 МГц, кор…
- AS4C512M16D3LC-10BIN — Микросхема памяти DDR3 8 Гбит, организация 512М×16, питание 1,35 В, частота 933 МГц, корп…
- AS4C512M16D3LC-10BINTR — Микросхема памяти DDR3L 8 Гбит, организация 512М×16, питание 1,35 В, частота 933 МГц, кор…
- AS4C512M16D3LB-12BIN — Микросхема памяти DDR3L 512Мх16 (8Гбит), питание 1,35 В, корпус FBGA-96, промышленный диа…
- AS4C512M16D3LB-12BINTR — Микросхема памяти DRAM 8 Гбит DDP, организация 512М×16, питание 1,35 В, частота DDR3-1600.
- AS4C256M16D4-83BIN — Микросхема памяти DDR4 4 Гбит, организация 256М×16, питание 1,2 В, скорость 2400 Мбит/с,…
- IS42S16400J-6TL-TR — Микросхема памяти SDRAM 64 Мбит (4М×16), питание 3,3 В, корпус TSOP-II-54
- IS42S16400J-6TLI — Микросхема памяти SDRAM 64 Мбит (4М×16), питание 3,3 В, корпус TSOP-II-54
- IS42S16400J-6TLI-TR — Микросхема памяти SDRAM 64 Мбит (4М×16), питание 3,3 В, частота 166 МГц, корпус TSOP-II-54
- IS42S16400J-7B2LI — Микросхема памяти SDRAM 64 Мбит (4М×16), питание 3,3 В, корпус TFBGA-60
- IS42S16400J-7B2LI-TR — Микросхема памяти SDRAM 64 Мбит (4М×16), частота 143 МГц, поверхностный монтаж
- IS42S16400J-7BL — Микросхема памяти SDRAM 64 Мбит (4М×16), питание 3,3 В, корпус TFBGA-54