Micron MT40A512M16JY-083E IT:B TR — купить, цена, наличие
| Наименование: | Micron MT40A512M16JY-083E IT:B TR |
| Производитель: | Micron |
| Категория: | Оперативная память (RAM) |
| Артикул: | 005129 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Микросхема памяти Micron SDRAM DDR4, 8 Гбит (512M×16), 1.2 В, CL-16, корпус FBGA-96, лента-катушка
Микросхема памяти Micron MT40A552M16JY-083E представляет собой SDRAM DDR4 объёмом 8 Гбит с организацией 512 М × 16 бит. Работает при напряжении питания 1.2 В, имеет время доступа CL-16, корпус FBGA-96, предназначена для автоматизированного монтажа с использованием ленты-катушки.
Данная микросхема используется в серверах, рабочих станциях, сетевом оборудовании и высокопроизводительных вычислительных системах, обеспечивая быстрый доступ к данным и высокую пропускную способность. Её применение позволяет увеличить производительность системы за счёт эффективного хранения и обработки оперативной информации.
| Частота | 1.2 GHz |
| Интерфейс | Параллельный |
| Макс. рабочая температура | 95 °C |
| Тип памяти | RAM, SDRAM |
| Мин. рабочая температура | -40 °C |
| RoHS | Соответствует |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (373 стр.) |
Похожие товары — Оперативная память (RAM)
- MT40A512M16JY-083E IT:B — Микросхема памяти Micron SDRAM DDR4, 8 Гбит (512M x 16), параллельный интерфейс, 1.2 ГГц,…
- MT40A512M16JY-083EIT:B — Микросхема памяти Micron DDR4 DRAM, 512M×16, CMOS, корпус PBGA-96
- AS4C256M16D4-83BIN — Микросхема памяти DDR4 4 Гбит, организация 256М×16, питание 1,2 В, скорость 2400 Мбит/с,…
- AS4C512M16D3LB-12BIN — Микросхема памяти DDR3L 512Мх16 (8Гбит), питание 1,35 В, корпус FBGA-96, промышленный диа…
- AS4C512M16D3LB-12BINTR — Микросхема памяти DRAM 8 Гбит DDP, организация 512М×16, питание 1,35 В, частота DDR3-1600.
- AS4C512M16D3LC-10BIN — Микросхема памяти DDR3 8 Гбит, организация 512М×16, питание 1,35 В, частота 933 МГц, корп…
- AS4C512M16D3LC-10BINTR — Микросхема памяти DDR3L 8 Гбит, организация 512М×16, питание 1,35 В, частота 933 МГц, кор…
- AS4C512M16D3LC-12BIN — Микросхема памяти DDR3L 8 Гбит, организация 512М×16, питание 1,35 В, частота 800 МГц, кор…
- AS4C512M16D3LC-12BINTR — Микросхема памяти DDR3L 8 Гбит, организация 512М×16, питание 1,35 В, частота 800 МГц, кор…
- DS1245ABP-70 — Энергонезависимая асинхронная NVSRAM память DS1245AB, объём 1 Мбит, время доступа 70 нс,…
- IS42S16400J-5BL — Микросхема памяти SDRAM 64 Мбит (4М×16), питание 3,3 В, частота 200 МГц, корпус BGA-54 (8…
- IS42S16400J-5BL-TR — Микросхема памяти SDRAM 64 Мбит (4М×16), питание 3,3 В, частота 200 МГц, корпус BGA-54 (8…