Infineon IPS521GTR — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon IPS521GTR |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Микросхемы силовых ключей — распределение питания |
| Артикул: | 002533 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Микросхема силового ключа MOSFET N-канальная, мощность 1 Вт, кремниевая, поверхностный монтаж, корпус SOIC-8
Infineon IPS521GTR — это микросхема силового ключа на основе N-канального MOSFET, предназначенная для поверхностного монтажа в устройствах распределения питания. Корпус SOIC-8 обеспечивает удобное размещение на печатной плате и позволяет эффективно отводить тепло, благодаря чему мощность рассеяния составляет 1 Вт. Кремниевая структура транзистора гарантирует стабильную работу в условиях повышенных температур и напряжений.
При монтаже данного компонента важно учитывать его тепловые характеристики, обеспечивая достаточный контакт с радиатором или теплоотводящей поверхностью. Для улучшения теплопередачи рекомендуется использовать термопасту между корпусом и радиатором. При пайке следует соблюдать температурные режимы, указанные производителем, чтобы избежать перегрева и повреждения кристалла. Важно также обеспечить хорошую адгезию выводов к контактным площадкам, соблюдая стандарты пайки поверхностного монтажа.
| Корпус | SOP |
| Номинальный ток | 1.6 A |
| Сопротивление сток-исток | 100 mΩ |
| Защита от неисправностей | Перегрев |
| Высота в установленном положении (макс.) | 1.75 mm |
| Интерфейс | On/Off |
| Дата выпуска | 1998-09-20 |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Длина | 4.9 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2018-01-15 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2018-07-15 |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Макс. выходной ток | 7 A |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1 W |
| Макс. напряжение питания | 35 V |
| Мин. рабочая температура | -40 °C |
| Мин. напряжение питания | 5.5 V |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальный ток питания | 600 µA |
| Номинальное напряжение питания (DC) | 6 V |
| Число цепей | 1 |
| Число выходов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Конфигурация выхода | высоковольтная сторона |
| Выходной ток | 1.6 A |
| Выходной ток на канал | 1.6 A |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 1 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 80 mΩ |
| RoHS | Не соответствует |
| Шаг выводов | 1.27 mm |
| Ширина | 3.9 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Микросхемы силовых ключей — распределение питания
- IPS521G — Микросхема высокостороннего силового ключа MOSFET защищённая, 35 В, сопротивление 100 мОм…
- ULN2003APWR(UMW) — 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003A, напряжение 50 В, ток 500 мА, корпу…
- ULN2003AS16-13 — Микросхема матрицы транзисторов Дарлингтона ULN2004A, высоковольтная, ток до 500 мА, 30 В
- ULN2003BDR — 7-канальная матрица Дарлингтона ULN2003B, напряжение 50 В, вход от 3 В, корпус SOIC-16, д…
- ULN2003D — Периферийный драйвер на базе буфера/инвертора ULN2003, 7 драйверов, биполярный, корпус PD…
- ULN2003D1013TR — 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона высокого напряжения/тока ULN, 50 В, 500 мА,…
- ULN2003D1013TR (DC: 2023) — Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003D1013T, лента, партия 2023 года
- ULN2003D1013TR (микросхема) — Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003D1013T, лента
- ULN2003F12FN-7 — 4-канальный драйвер реле/индуктивной нагрузки нижнего плеча ULN2003F12, питание 3.3-5 В,…
- ULN2003L — Периферийный драйвер на базе буфера/инвертора ULN2003L, 7 драйверов, ток 0.5 А, биполярны…
- ULN2003LVD
- ULN2003LVDR — 7-канальная сборка NPN-транзисторов Дарлингтона, напряжение 8 В, ток 0.5 А, корпус SOIC-16