ULN2003ADR2G — купить, цена, наличие
| Наименование: | ULN2003ADR2G |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Микросхемы силовых ключей — распределение питания |
| Артикул: | 008150 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003A (триод NPN), ток 500 мА, корпус SOIC-16, SMD
Микросхема ULN2003ADR2G производства компании onsemi представляет собой матрицу транзисторов Дарлингтона типа NPN, выполненную в корпусе SOIC-16 для поверхностного монтажа. Она предназначена для управления мощными нагрузками и позволяет коммутировать ток до 500 мА. Каждая из семи ячеек микросхемы содержит транзистор Дарлингтона, обеспечивая высокий коэффициент усиления и возможность прямого подключения к цифровым выходам микроконтроллеров.
При проектировании печатной платы с использованием данной микросхемы рекомендуется уделять особое внимание разводке питания и земли. Для уменьшения помех и повышения устойчивости работы схемы желательно использовать отдельные дорожки питания для цифровых и силовых цепей. Также важно обеспечить достаточный размер полигона земли под корпусом микросхемы, чтобы улучшить теплоотвод и снизить уровень электромагнитных излучений.
| Верхняя граница температуры окружающей среды | 85 °C |
| Корпус | SOP |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.1 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 50 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Без галогенов | Без галогенов |
| Высота | 1.75 mm |
| Высота в установленном положении (макс.) | 1.75 mm |
| hFE (мин.) | 1000 |
| Дата выпуска | 2007-11-26 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 9.9 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Макс. ток коллектора | 500 mA |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 85 °C |
| Мин. рабочая температура | -20 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное напряжение питания (DC) | 50 V |
| Количество каналов | 3 |
| Число цепей | 1 |
| Число элементов | 7 |
| Число выводов | 16 |
| Число передатчиков | 7 |
| Выходное напряжение | 50 V |
| Полярность | NPN |
| Радиационная стойкость | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Шаг выводов | 1.27 mm |
| Ширина | 3.9 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (1 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Микросхемы силовых ключей — распределение питания
- ULN2003ADR2G (DC: n/a) — Транзисторная сборка Дарлингтона NPN ULN2003, ток 500 мА, поверхностный монтаж, корпус SO…
- ULN2003ADR2G-TP — Матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003A, корпус SOP-16
- ULN2003ADR2G-TUDI — Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003AD, Tudi, лента
- ULN2003ADR — 7-канальная матрица NPN-транзисторов Дарлингтона ULN2003A, напряжение 50 В, корпус SOIC-16
- ULN2003ADR (DC: 2020) — Микросхема матрицы транзисторов Дарлингтона 7-канальная NPN, 50 В, корпус SOIC-16
- ULN2003ADR (DC: 2024) — Микросхема матрицы транзисторов Дарлингтона 7-канальная NPN, 50 В, корпус SOIC-16
- ULN2003ADR (DC: 2025) — Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003AD, корпус SOIC, лента, партия 2025 года
- ULN2003ADR-MS — Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003AD, MSKSemi Semiconductors, 7 каналов, к…
- ULN2003ADR(LX) — Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003AD
- ULN2003AD — Микросхема матрицы транзисторов Дарлингтона 7 каналов NPN, 50 В, ток 500 мА, корпус SOIC-…
- ULN2003AD16-U — Матрица транзисторов Дарлингтона Diodes Inc. ULN2003A, высоковольтная, 30 В, 500 мА, -40.…
- ULN2003AD16-U-01 — Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003AD16