MMBT3904T7 — купить, цена, наличие

MPN MMBT3904T7 · Diodes Incorporated
Наименование:MMBT3904T7
Производитель:Diodes Incorporated
Категория:Биполярные транзисторы
Артикул:014591
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт Уточняем цену…

NPN-транзистор малой мощности от Diodes Incorporated в миниатюрном SMD-корпусе SOT-523. Он рассчитан на ток коллектора до 200 мА и напряжение коллектор-эмиттер до 40 В, рассеиваемая мощность не превышает 150 мВт. Минимальный hFE составляет 100 при 10 мА и 1 В, напряжение насыщения не выше 300 мВ при Ic 50 мА и Ib 5 мА, частота перехода 300 МГц. Прибор автомобильной категории качества с квалификацией AEC-Q101, температура перехода от −55 до 150 °C. Компонент снят с производства.

Типичная ошибка — рассчитывать базовый резистор ключа по минимальному hFE и задавать ток базы в сотню раз меньше тока нагрузки. Насыщение гарантируется при соотношении токов около 10:1, как в паспортной точке 50 мА / 5 мА. При слабом токе базы транзистор остаётся в активном режиме, на нём падает заметное напряжение, и крошечный корпус быстро упирается в предел 150 мВт. В ключах для светодиодов, реле и сдвигателях уровня закладывайте ток базы с запасом, на индуктивную нагрузку ставьте обратный диод, а для новых разработок заранее подберите замену.

Тип транзистораNPN
Ток коллектора (Ic) (Макс.)200 mA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.)40 V
Насыщение Vce (Макс.) при Ib, Ic300mV @ 5mA, 50mA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (Мин.) при Ic, Vce100 @ 10mA, 1V
Мощность рассеяния (Макс.)150 mW
Частота перехода300MHz
Диапазон рабочих температур-55°C ~ 150°C (TJ)
Категория качестваАвтомобильный
СертификацияAEC-Q101
Тип монтажаПоверхностный монтаж (SMD)
Корпус/УпаковкаSOT-523
Корпус устройства поставщикаSOT-523
Статус компонентаСнят с производства
ДокументСкачать
Информационный листСкачать