MMBT3904(1AM) — купить, цена, наличие

MPN MMBT3904(1AM) · Diotec Semiconductor
Наименование:MMBT3904(1AM)
Производитель:Diotec Semiconductor
Категория:Биполярные транзисторы
Артикул:014592
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт Уточняем цену…

Маломощный кремниевый NPN-транзистор Diotec Semiconductor в корпусе SOT-23 (TO-236) для поверхностного монтажа. Он выдерживает ток коллектора до 200 mA и напряжение коллектор-эмиттер до 40 V, рассеиваемая мощность до 350 mW. Коэффициент усиления hFE не ниже 100 при 10 mA и 1 V. Напряжение насыщения не превышает 300 mV при токе коллектора 50 mA и токе базы 5 mA, ток отсечки коллектора до 50 nA. Частота перехода 300 MHz, температура перехода от -55 до 150 °C.

Ближайшая альтернатива — маломощный полевой транзистор. В отличие от него, биполярный управляется током базы, поэтому в цепь базы обязательно ставят токоограничивающий резистор. Зато он уверенно открывается от низких логических уровней и не так чувствителен к статике, как изолированный затвор MOSFET. Этот транзистор стоит выбрать для ключей реле, светодиодов и оптопар от выводов микроконтроллера, а также для усилительных и генераторных каскадов с предсказуемым усилением. Если нагрузка индуктивная, параллельно ей нужен обратный диод.

Тип транзистораNPN
Ток коллектора (Ic) (Макс.)200 mA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.)40 V
Насыщение Vce (Макс.) при Ib, Ic300mV @ 5mA, 50mA
Ток отсечки коллектора (Макс.)50nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (Мин.) при Ic, Vce100 @ 10mA, 1V
Мощность рассеяния (Макс.)350 mW
Частота перехода300MHz
Диапазон рабочих температур-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажаПоверхностный монтаж (SMD)
Корпус/УпаковкаTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус устройства поставщикаSOT-23 (TO-236)
Статус компонентаАктивен
ДокументСкачать
Информационный листСкачать