MMBT3904HRFG — купить, цена, наличие

Маломощный биполярный NPN-транзистор Taiwan Semiconductor для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23 (TO-236-3, SC-59). Он коммутирует ток коллектора до 200 мА при напряжении коллектор-эмиттер до 40 В и рассеивает до 350 мВт. Коэффициент усиления hFE составляет не менее 100 при 10 мА и 1 В, частота перехода 300 МГц. Напряжение насыщения не превышает 300 мВ при Ic 50 мА и Ib 5 мА, ток отсечки коллектора не более 50 нА. Температура перехода допускается от −55 до 150 °C. Компонент находится в активном производстве.

Типичные задачи для такого транзистора: ключ для светодиодов и реле, согласование уровней после выхода микроконтроллера, небольшие усилительные каскады. В режиме ключа он греется в основном из-за падения напряжения в насыщении. Предел в 350 мВт достижим только при хорошей медной площадке под выводами, потому что миниатюрный SOT-23 отводит тепло почти целиком через плату. С нагревом растут ток утечки и hFE, а напряжение база-эмиттер снижается. Из-за этого параллельное включение нескольких транзисторов без эмиттерных резисторов приводит к перекосу токов. В штатном режиме кремниевый кристалл практически не стареет. Однако коэффициент усиления заметно и необратимо деградирует после пробоя перехода база-эмиттер обратным напряжением. Поэтому при импульсном управлении ограничивайте обратное напряжение на базе, а индуктивную нагрузку шунтируйте диодом.