MMBT3904LP(MS) — купить, цена, наличие

MPN MMBT3904LP(MS) · GOODWORK
Наименование:MMBT3904LP(MS)
Производитель:GOODWORK
Категория:Биполярные транзисторы
Артикул:014608
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт Уточняем цену…

Маломощный кремниевый NPN-транзистор общего назначения от GOODWORK в безвыводном корпусе DFN1006-3L (3-UFDFN) для поверхностного монтажа. Выдерживает до 40 В между коллектором и эмиттером, ток коллектора до 0,2 А и рассеивает до 400 мВт. Насыщение Vce не выше 300 мВ при Ic 50 мА и Ib 5 мА, hFE от 30 при 100 мА и 1 В, ICBO не более 50 нА. Частота перехода 300 МГц, температура перехода от −55 до 150 °C.

Носимая электроника, смартфоны, беспроводные датчики и портативные медицинские приборы используют такие транзисторы как ключи для светодиодов, зуммеров, маломощных реле и как согласователи логических уровней. Здесь важны минимальная площадь на плате и малый ток утечки в закрытом состоянии, от которого зависит время работы от батареи. Контакты корпуса DFN скрыты под ним, поэтому нужна точная трафаретная печать пасты, а качество пайки надёжно проверяется только рентгеном.

Тип транзистораNPN
Ток коллектора (Ic) (Макс.)0.2 A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.)40 V
Насыщение Vce (Макс.) при Ib, Ic300mV @ 5mA, 50mA
Ток отсечки коллектора (Макс.)50nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (Мин.) при Ic, Vce30 @ 100mA, 1V
Мощность рассеяния (Макс.)400 mW
Частота перехода300MHz
Диапазон рабочих температур-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажаПоверхностный монтаж (SMD)
Корпус/Упаковка3-UFDFN
Корпус устройства поставщикаDFN1006-3L
Статус компонентаАктивен
ДокументСкачать
Документация по этому компоненту пока не загружена.