PMBT3904,215 — купить, цена, наличие
| Наименование: | PMBT3904,215 |
| Производитель: | Nexperia |
| Категория: | Прочие компоненты |
| Артикул: | 013387 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Биполярный транзистор (BJT) PMBT3904, NPN
Биполярный транзистор PMBT3904 представляет собой полупроводниковый компонент типа NPN, предназначенный для усиления сигналов и выполнения переключательных функций. Данный транзистор широко используется в аналоговых и цифровых схемах благодаря своим характеристикам и надёжности.
Конструкция транзистора обеспечивает устойчивость к воздействию внешних факторов, таких как вибрации, повышенная влажность и широкий диапазон рабочих температур. Благодаря прочному корпусу и использованию качественных материалов, он способен выдерживать механические воздействия и неблагоприятные климатические условия, сохраняя при этом стабильные электрические параметры.
| Корпус | SOT-23-3 |
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 40 V |
| Покрытие контакта | Олово |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Частота | 300 MHz |
| Произведение усиления на полосу | 300 MHz |
| Высота | 1 mm |
| hFE (мин.) | 30 |
| Дата выпуска | 1997-09-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 3 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | RELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago) |
| Макс. напряжение пробоя | 40 V |
| Макс. ток коллектора | 200 mA |
| Максимальная частота | 300 MHz |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 250 mW |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Полярность | NPN |
| Рассеиваемая мощность | 250 mW |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Тип вывода | SMD/SMT |
| Частота перехода | 300 MHz |
| Время задержки выключения | 240 ns |
| Время задержки включения | 65 ns |
| Масса | 453.59237 mg |
| Ширина | 1.4 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Reach Statement | Скачать (3 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Прочие компоненты
- BAV99,215-CN — Сдвоенный диод переключения (switching) BAV99
- BAV99,215-JSM — Сдвоенный диод переключения (switching) BAV99, JSMICRO
- BAW99W — Сдвоенный диод переключения (свитчинг) NXP Semiconductors BAW99W, корпус SOT323, RoHS
- BB02B — Плата расширения Bitscope Blade Duo для Raspberry Pi
- BB04B — Плата расширения Bitscope Quattro для Raspberry Pi
- BB504MDS — Варикап (варакторный диод) BB504MDS, сдвоенный
- BC 547A — Биполярный транзистор (BJT) BC547A, NPN
- BC846A,215 — Биполярный транзистор (BJT) BC846A, NPN
- BCR10CS10 — Компонент ISC Semi BCR10CS10, категория уточняется
- BCX56-16 SOT-89 — Биполярный транзистор (BJT) BCX56-16, корпус SOT-89
- BH6779FVM-GTR — Компонент ROHM BH6779FVM, корпус VQFP, категория уточняется
- BH6779FVM-TR — Компонент ROHM BH6779FVM, корпус VQFP, категория уточняется