HIROSE ELECTRIC 222-2862-9-62 — купить, цена, наличие
| Наименование: | HIROSE ELECTRIC 222-2862-9-62 |
| Производитель: | HIROSE ELECTRIC |
| Категория: | Прочие компоненты |
| Артикул: | 004847 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Направляющая пластина Hirose для разъёмов серии TM21 RJ
Направляющая пластина HIROSE ELECTRIC 222-2862-9-62 предназначена для использования с разъёмами серии TM21 RJ. Она обеспечивает точное позиционирование и защиту контактов, упрощает монтаж и демонтаж разъёмов, повышая надёжность соединения и удобство обслуживания. Компонент соответствует стандартам качества производителя и предназначен для использования в условиях, характерных для современной электроники.
Компоненты данного типа востребованы в отраслях, где требуется высокая плотность монтажа и надёжное соединение, таких как телекоммуникации, промышленная автоматика и автомобильная электроника. В этих отраслях направляющие пластины обеспечивают быструю сборку и разборку соединений, устойчивость к механическим воздействиям и долговечность в эксплуатации.
| RoHS | Не соответствует |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — Прочие компоненты
- DAMI280N200 — МОП-транзистор (MOSFET) Daco Semiconductor DAMI280N200, N-канал, высоковольтный
- DAMI320N100 — МОП-транзистор (MOSFET) Daco Semiconductor DAMI320N100, N-канал, высоковольтный
- DAMI330N60 — МОП-транзистор (MOSFET) Daco Semiconductor DAMI330N60, N-канал, 600 В
- DAMI450N100 — МОП-транзистор (MOSFET) Daco Semiconductor DAMI450N100, N-канал, высоковольтный
- DAMI500N60 — МОП-транзистор (MOSFET) Daco Semiconductor DAMI500N60, N-канал, 600 В
- DCPP3
- DCS104M26Y5UF6AJ5A0 — Керамический конденсатор DCS104M26Y5UF6AJ5A0, ёмкость 0.1 мкФ (104)
- DDR4 8Gb (3200МГц) — Модуль оперативной памяти (RAM) DDR4, объём 8 Гбит, частота 3200 МГц
- DDR4-4GB 2666MHz — Модуль оперативной памяти (RAM) DDR4, объём 4 ГБ, частота 2666 МГц
- DE/2SRD Индикатор супер-яркий красный
- DFR0077
- DG105V-5.0-02P-14-00Z(H)