Микросхема памяти EEPROM параллельная 256 Кбит (32К×8), время доступа 150 нс, корпус PDIP-28
Параллельная электрически стираемая память EEPROM объёмом 256 Кбит с организацией 32К×8 и временем доступа 150 нс. Микросхема выполнена в корпусе SOIC с бессвинцовыми выводами, покрытыми оловом. Байтовая шина данных и раздельная адресация позволяют читать её как обычное ПЗУ, без последовательного протокола. Компонент находится в производстве, плановое снятие намечено на 2039 год.
Такую память ставят на шину 8-разрядных микроконтроллеров и ретрокомпьютеров для хранения прошивок, таблиц и настроек. Типичная ошибка: писать в неё подряд, как в SRAM, не дожидаясь окончания внутреннего цикла записи. Байты теряются без всяких сигналов об ошибке. Окончание записи нужно проверять опросом бита данных или toggle-бита. Без программной защиты помехи на WE при включении питания портят содержимое.
| Планируемая дата снятия с производства | 2039-04-21 |
| Время доступа | 150 ns |
| Корпус | SOIC |
| Покрытие контакта | Олово |
| Страна сборки | Тайвань |
| Страна изготовления | США |
| Страна происхождения | Тайвань |
| Плотность | 256 kb |
| Код ECCN | EAR99 |
| Частота | 150 GHz |
| Код ТН ВЭД | 8542.32.0051 |
| Код ТН ВЭД (HTS) | 8542.32.0051 |
| Интерфейс | Parallel, SPI |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Выпущен |
| Максимальная рабочая температура | 85 °C |
| Максимальное напряжение питания | 5.5 V |
| Объем памяти | 32 kB |
| Тип памяти | EEPROM |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Минимальное напряжение питания | 4.5 V |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальный ток питания | 50 mA |
| Число выводов | 28 |
| Рабочее напряжение питания | 5 V |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| RoHS | Соответствует |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (33 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (25 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (27 стр.) | |
| Materials Sheet | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Память
- AT28C256F-15JU — Микросхема памяти EEPROM параллельная 256 Кбит, время доступа 150 нс, корпус PLCC-32
- AT28C256F-15PI — Микросхема памяти EEPROM AT28C256F-15PI, ёмкость 256 Кбит
- AT28C256 — Параллельная EEPROM Atmel AT28C256, объём 256 Кбит, корпус VFQFPN 5х5 мм
- AT28C256-15JU-T — Микросхема памяти EEPROM AT28C256-15JU, ёмкость 256 Кбит, лента
- AT28C256-15PI — EEPROM 32К×8, время доступа 150 нс, параллельный интерфейс, КМОП, корпус PDIP-28.
- AT28C256E-15JC — Микросхема памяти EEPROM AT28C256E-15JC, ёмкость 256 Кбит
- AT28C256E-15JU — EEPROM 256 Кбит, время доступа 150 нс, корпус PLCC-32.
- AT28C256E-15SU — Микросхема памяти EEPROM AT28C256E-15SU, ёмкость 256 Кбит
- AT28C256E-15SU-T — Микросхема памяти EEPROM 256 Кбит, диапазон температур -40...+85 °C
- BY25Q16ESSIGR — Микросхема Flash-памяти (SPI) BY25Q16, ёмкость 16 Мбит
- BY25Q32ESSIGR — Микросхема Flash-памяти (SPI) BY25Q32, ёмкость 32 Мбит
- BY25Q64ESSIGR — Микросхема Flash-памяти (SPI) BY25Q64, ёмкость 64 Мбит