Оптопара транзисторная, изоляция 5000 В, ток 60 мА, выводной монтаж, корпус DIP-4
Этой оптопарой транзисторного типа обеспечивается надежная гальваническая развязка с уровнем изоляции до 5000 В. Она предназначена для работы с током до 60 мА и устанавливается с помощью выводного монтажа в корпусе DIP-4. Компонент обеспечивает эффективное разделение цепей, снижая риск повреждения чувствительных элементов схемы.
При монтаже EL817(B)-F рекомендуется использовать стандартные методы пайки выводных компонентов, обеспечивая надежный контакт и соблюдение требований к расстоянию между выводами. Для предотвращения перегрева элемента и сохранения его изоляционных свойств пайку следует выполнять быстро, избегая длительного воздействия высоких температур. Важно также учитывать допустимые механические нагрузки на выводы при установке на плату.
| China RoHS | Соответствует |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 35 V |
| Коэффициент передачи тока | 130 % |
| Темновой ток | 100 nA |
| Прямой ток | 60 mA |
| Прямое напряжение | 1.4 V |
| Дата выпуска | 2001-06-04 |
| Напряжение изоляции | 5000 Vrms |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная рабочая температура | 110 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 150 mW |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Число элементов | 1 |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (13 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (14 стр.) |
Позиция есть у 8 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Оптопары
- EL816 — Оптопара с транзисторным выходом, 1 канал, DC-вход/выход, корпус PDIP-4.
- EL817A-F — Оптопара Everlight EL817A с транзисторным выходом, изоляция 5 кВ, корпус DIP-4
- EL817S1(B)(TU)-F — Оптопара транзисторная, изоляция 5 кВ, ток 60 мА, поверхностный монтаж
- EL354N(A)(TA)-VG — Оптопара с транзисторным выходом, изоляция 3,75 кВ, корпус SOP-4, поверхностный монтаж, л…
- EL357C — Оптопара Everlight с транзисторным выходом, одноканальная, изоляция 3750 В
- EL357N(A)(TA)-G — Оптопара транзисторная, изоляция 3,75 кВ, ток 50 мА, время переключения 18 нс, корпус SOP
- EL357N(B)(TA)-G — Оптопара с транзисторным выходом, 1 канал, гальваническая изоляция 3750 В.
- EL357N(C)(TA)-G — Оптопара с транзисторным выходом, 1 канал, гальваническая изоляция 3750 В.
- EL357N(D)(TA)-G — Оптопара с транзисторным выходом, 1 канал, гальваническая изоляция 3750 В.
- EL3H7(A)(TA)-G — Оптопара транзисторная, изоляция 3,75 кВ, корпус SSOP-4
- EL3H7(B)(TA)-G — Оптопара с транзисторным выходом, 1 канал, DC-вход/выход, корпус SSOP-4, лента.
- EL3H7(C)(TA)-G — Оптопара транзисторная, корпус SOIC