Micron MT41K256M16TW-107 AIT:P — купить, цена, наличие
| Наименование: | Micron MT41K256M16TW-107 AIT:P |
| Производитель: | Micron |
| Категория: | Оперативная память (RAM) |
| Артикул: | 006006 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Микросхема памяти Micron DDR3L SDRAM, 4 Гбит (256M×16), 1.35 В, автомобильное исполнение AEC-Q100, корпус FBGA-96
Микросхема памяти Micron MT41K256M16TW-107 AIT:P представляет собой устройство типа DDR3L SDRAM с объёмом памяти 4 Гбит (256M×16), работающее при напряжении питания 1.35 В. Корпус FBGA-96 обеспечивает компактные размеры и высокую плотность монтажа, что особенно актуально для автомобильной электроники. Компонент соответствует стандарту AEC-Q100, предназначенному для автомобильных приложений.
Автомобильное исполнение микросхемы подразумевает повышенные требования к устойчивости к внешним воздействиям. Компонент рассчитан на работу в условиях высокой вибрации, характерной для транспортных средств, а также выдерживает широкий диапазон рабочих температур, что критично для автомобильной электроники. Конструктивное исполнение корпуса FBGA-96 и используемые материалы обеспечивают надёжную защиту от влаги и пыли, что предотвращает возможные сбои и отказы устройства в сложных эксплуатационных условиях.
| Время доступа | 195 ps |
| Разрядность шины адреса | 15 b |
| Корпус | TFBGA |
| Покрытие контакта | Медь, Серебро, Олово |
| Разрядность шины данных | 16 b |
| Объём памяти | 4 Gb |
| Частота | 933 MHz |
| Высота | 1.2 mm |
| Высота в установленном положении (макс.) | 1.2 mm |
| Интерфейс | Параллельный |
| Дата выпуска | 2015-12-07 |
| Длина | 14 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная частота | 933 MHz |
| Макс. рабочая температура | 95 °C |
| Макс. ток потребления | 147 mA |
| Макс. напряжение питания | 1.45 V |
| Объём памяти | 512 MB |
| Тип памяти | DDR3, SDRAM |
| Мин. рабочая температура | -40 °C |
| Мин. напряжение питания | 1.283 V |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное напряжение питания (DC) | 1.35 V |
| Число цепей | 1 |
| Число выводов | 96 |
| Число портов | 1 |
| Рабочее напряжение питания | 1.35 V |
| Параметры | AEC-Q100 |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8542320023 |
| Температурный класс | Промышленный |
| Шаг выводов | 800 µm |
| Ширина | 8 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (201 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (214 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (200 стр.) |
Похожие товары — Оперативная память (RAM)
- MT41K256M16TW-107 AIT:P TR — Микросхема памяти Micron DDR3L SDRAM, 4 Гбит, параллельный интерфейс, 933 МГц, 1.45 В, ко…
- MT41K256M16TW-107 IT:P — Микросхема памяти Micron DDR3L SDRAM, 4 Гбит, параллельный интерфейс, 933 МГц, 1.45 В, ко…
- MT41K256M16TW-107AIT:PTR — Микросхема памяти DDR3L SDRAM, 4 Гбит (256M×16), 1.35 В, автомобильное исполнение, корпус…
- MT41K512M16HA-125 IT:A — Микросхема памяти DDR3L SDRAM, 8 Гбит (512M×16), 1.35 В, корпус FBGA-96
- MT41K512M16HA-125 IT:A TR — Микросхема памяти Micron DDR3L SDRAM, 8 Гбит (512M×16), 1.35 В, 96-контактный FBGA, 1600…
- MT41K512M16HA-125ITA — Микросхема памяти DDR3L DRAM, 256M×16, CMOS, корпус PBGA-96
- IS42S16400J-6BLI-TR — Микросхема памяти SDRAM 64 Мбит (4М×16), питание 3,3 В, частота 166 МГц, корпус BGA-54 (8…
- IS42S16400J-6TL — Микросхема памяти SDRAM 64 Мбит (4М×16), питание 3,3 В, корпус TSOP-II-54
- IS42S16400J-6TL-TR — Микросхема памяти SDRAM 64 Мбит (4М×16), питание 3,3 В, корпус TSOP-II-54
- IS42S16400J-6TLI — Микросхема памяти SDRAM 64 Мбит (4М×16), питание 3,3 В, корпус TSOP-II-54
- IS42S16400J-6TLI-TR — Микросхема памяти SDRAM 64 Мбит (4М×16), питание 3,3 В, частота 166 МГц, корпус TSOP-II-54
- IS42S16400J-7B2LI — Микросхема памяти SDRAM 64 Мбит (4М×16), питание 3,3 В, корпус TFBGA-60