APTM100H45SCTG — купить, цена, наличие
| Наименование: | APTM100H45SCTG |
| Производитель: | Microchip |
| Категория: | Модули дискретных полупроводников |
| Артикул: | 003576 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Силовой полупроводниковый модуль MOSFET с диодом Шоттки, корпус SP4.
APTM100H45SCTG — силовой полупроводниковый модуль на основе MOSFET транзистора с интегрированным диодом Шоттки. Компонент выполнен в корпусе типа SP4, обеспечивающем эффективное охлаждение и высокую механическую прочность. Модель предназначена для работы в цепях с высокими токами и напряжениями, обеспечивая быстрое переключение и низкое падение напряжения.
Модуль рассчитан на эксплуатацию в условиях повышенной вибрации, характерной для автомобильной электроники и промышленных установок. Конструктивное исполнение обеспечивает устойчивость к воздействию влаги и агрессивных сред, что делает его подходящим для использования в неблагоприятных климатических условиях. Диапазон рабочих температур позволяет применять модуль в оборудовании, эксплуатируемом в экстремальных температурных режимах.
| Планируемая дата снятия с производства | 2044-04-30 |
| Корпус | Module |
| Постоянный ток стока (ID) | 18 A |
| Страна сборки | Филиппины |
| Страна изготовления | N/A |
| Страна происхождения | Филиппины |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1 kV |
| Код ECCN | EAR99 |
| Время спада | 35 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 30 V |
| Код ТН ВЭД | 8541.59.0080 |
| Код ТН ВЭД (HTS) | 8541.59.0080 |
| Входная ёмкость | 4.35 nF |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Выпущен |
| Макс. рабочая температура | 125 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 357 W |
| Мин. рабочая температура | -40 °C |
| Тип монтажа | Chassis Mount, Screw |
| Число элементов | 4 |
| Рассеиваемая мощность | 357 W |
| Rds(on) макс. | 540 mΩ |
| Время нарастания | 12 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Время задержки выключения | 121 ns |
| Время задержки включения | 10 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (3 стр.) | |
| Reach Statement | Скачать (2 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать (2 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать (1 стр.) |