IKA10N65ET6XKSA2 — купить, цена, наличие

IGBT-транзистор Infineon IKA10N65ET6XKSA2 выполнен по технологии Field Stop с траншейным затвором, что обеспечивает улучшенные динамические характеристики и низкое падение напряжения. Он рассчитан на работу с напряжением до 650 В и способен пропускать ток до 15 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 40 Вт, корпусировка выполнена в стандартном исполнении TO-220-3.

При проектировании печатной платы рекомендуется использовать широкие проводники для силовых линий, чтобы снизить тепловые потери и обеспечить эффективный отвод тепла от транзистора. Также важно предусмотреть достаточное расстояние между силовыми и управляющими дорожками, чтобы избежать паразитных наводок и сбоев в работе схемы.