STMicroelectronics VNS1NV04DP-E — купить, цена, наличие
| Наименование: | STMicroelectronics VNS1NV04DP-E |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Категория: | Микросхемы силовых ключей — распределение питания |
| Артикул: | 002461 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Полностью защищённый ключ нижнего плеча OMNIFET II, 40 В, ток 1.7 А, корпус SOIC-8
Полностью защищённый силовой ключ нижнего плеча серии OMNIFET II производства компании STMicroelectronics. Модель VNS1NV04DP-E выполнена в корпусе SOIC-8 и рассчитана на работу при напряжении до 40 В и токе до 1.7 А. Компонент обладает встроенной защитой от перегрузки и короткого замыкания, что обеспечивает высокий уровень надёжности и безопасности при эксплуатации.
В отличие от традиционных дискретных транзисторных решений, такие ключи предлагают улучшенные характеристики защиты и более компактное решение для задач распределения питания. Их часто используют в источниках питания, зарядных устройствах и системах управления питанием, где требуется высокая степень интеграции и защита от аварийных режимов. Выбор данного ключа будет оправдан, если необходимо обеспечить надёжное управление нагрузкой с учётом встроенных функций защиты и минимизировать занимаемое место на плате.
| Корпус | SOP |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 1.7 A |
| Сопротивление сток-исток | 250 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 45 V |
| Высота | 1.75 mm |
| Высота в установленном положении (макс.) | 1.75 mm |
| Дата выпуска | 2010-04-06 |
| Длина | 4.9 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2020-01-31 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2020-07-31 |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Макс. выходной ток | 1.7 A |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 4 W |
| Мин. рабочая температура | -40 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальный ток питания | 100 µA |
| Количество каналов | 2 |
| Число цепей | 1 |
| Число выходов | 2 |
| Число выводов | 8 |
| Число передатчиков | 1 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 250 mΩ |
| Выходной ток | 3.5 A |
| Выходной ток на канал | 1.7 A |
| Выходное напряжение | 45 V |
| Рассеиваемая мощность | 4 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 250 mΩ |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8542390000 |
| Шаг выводов | 1.27 mm |
| Пороговое напряжение | 500 mV |
| Время задержки выключения | 350 ns |
| Время задержки включения | 70 ns |
| Ширина | 3.9 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (24 стр.) |
Похожие товары — Микросхемы силовых ключей — распределение питания
- VNS1NV04DPTR — Интеллектуальный силовой ключ (High-Side Power Switch) STMicroelectronics
- VNS1NV04DPTR-E — Электронный ключ распределения питания нижнего плеча, 1 канал, ток 3.5 А, сопротивление 2…
- ULN2003AM — 7-канальная матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003A, корпус SOIC-16
- ULN2003AN — Транзисторная матрица NPN ULN2003A, напряжение 30 В, ток -2.5 А, напряжение насыщения 1.7…
- ULN2003AN (DC: 2025) — Микросхема матрицы транзисторов Дарлингтона NPN ULN2003, 30 В, ток до 2,5 А
- ULN2003AN-TUDI — Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003AN, Tudi, корпус DIP
- ULN2003AN(XBLW) — Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003AN, корпус DIP
- ULN2003AN225 — Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003AN225
- ULN2003ANSR — Малосигнальный NPN-транзистор ULN2003A, ток коллектора 0.5 А, напряжение пробоя 50 В, 7 э…
- ULN2003APW — 7-канальная сборка NPN-транзисторов Дарлингтона ULN2003A, напряжение 50 В, ток 0.5 А, кор…
- ULN2003APWR — Матрица транзисторов Дарлингтона ULN2003A (триод NPN), ток 500 мА, корпус TSSOP-16
- ULN2003APWR-TUDI — Транзисторная сборка (массив Дарлингтона) ULN2003APW, Tudi, корпус TSSOP, лента